岡本工作機械製作所は2020年9月18日、半導体関連装置開発部門において、研究開発を進めている「Si貫通電極ウェーハ全自動薄化加工装置」の計画について、国立研究開発法人科学技術振興機関（JST）から支援を受ける開発期間が延長される事を発表した。これに同計画の課題完了は2023年5月に設定される。
今回の計画における開発テーマは、Si貫通電極(TSV)ウェーハを高平坦かつ高均一に10μm〜50μm厚さレベルまで薄層化する加工技術。同社が新たに開発した自動Si厚さ補正機構付き研削盤、Si/Cu 同時研削技術、および金属汚染低減化技術を融合したTSV ウェーハ全自動薄化加工装置の実用化を目指している。