米の半導体大手、NVIDIAのジェンスン・フアン最高経営責任者（CEO）は6月4日、韓サムスン電子の高帯域幅メモリ（HBM）を自社のAI半導体に早期に搭載するために努力していると述べた。

先日、サムスン電子のHBMが発熱や消費電力の問題により、NVIDIAの品質テストに落ちたという報道がされていた。フアン氏はこれについて、「いかなる内容も我々とは関係がない」と述べ、報道内容を強く否定した。一方で、「サムスン電子との作業が進行中で（テスト）がまだ終わっていないだけ」であるとし、同社の製品には一段のエンジニアリングが必要であるとも述べた。

また、米Micron Technology製のHBMについても同様に精査中であるとした。フアンCEOは「SK HynixはもちろんMicron、サムスン電子も立派なパートナーであり、3社とも我々にHBMを供給することになるだろう。ともに資格を備えていて、我々の製品に早期に適用できるよう努力している」と述べた。現状、SK Hynixの独占状態であるものの、今後3社からの供給を受けることで、より安定的かつ安価にHBMを調達できるようになるメリットがある。また、技術競争も活性化されるため、更なる先端品の研究開発も加速する。

NVIDIAとの供給契約はメモリメーカー各社が主導権を握るには避けて通れない「登竜門」になりつつある。サムスン電子とMicronは早期の品質テスト合格を目指していく。