先端半導体の国産化を目指すRapidusは4月2日、新エネルギー・産業技術総合研究所(NEDO)から、「日米連携に基づく2nm世代半導体の集積化技術と短TAT製造技術の研究開発」の2024年度の計画と予算が承認されたと発表した。同時に、「2nm世代半導体のチップレットパッケージ設計・製造技術開発」を提案し、新たに採択されたとも発表した。同社が政府から受ける支援金は既に承認されたものも合わせて、最大で9,200億円となる。

「日米連携に基づく2nm世代半導体の集積化技術と短TAT製造技術の研究開発」は前工程の技術開発を目的として2022年11月にNEDOより採択されたもので、これまでに最大3,300億円の支援を受けている。2024年度の計画では、米・IBMと共同で取り組んでいる2nm世代ロジック半導体量産技術の開発や北海道千歳市の製造拠点IIM(イーム・Innovative Integration for Manufacturing)の建設及びクリーンルームの稼働開始、2025年4月のライン稼働に向けたEUV露光装置などの製造装置の導入などを予定しており、最大5,365億円が支援される。

また、新たに採択された「2nm世代半導体のチップレットパッケージ設計・製造技術開発」は後工程に関するもので、2nm世代半導体を用いたパッケージの大型化及び低消費電力化を実現する実装量産技術、設計に必要なデザインキット・チップレットのテスト技術の確立を主な目的としている。IIMに隣接するセイコーエプソン千歳事業所の一部をパイロットラインとして活用し、最先端チップレットパッケージ(2.xD、3D)の製造技術を開発するのに加え、アプリケーション毎に最適な高効率/高性能チップレットパッケージの設計・テスト技術を開発する。なお、国際連携として、米・IBM、独・Fraunhofer、シンガポール・A*STAR IMEと協力する。こちらは最大で535億円が支援される。

Rapidusは発表で、「設計支援から前工程、後工程を一貫して行うことで短TATでの半導体製造を実現するRapid and Unified Manufacturing Service(RUMS)の構築を目指す」とした。

一方、経済産業省の齋藤健氏は、「Rapidusが取り組む次世代半導体は、日本産業全体の国際競争力の強化、経済成長の鍵を握る最重要技術だ。昨今のグローバルトレンドとして、先端前工程だけでなく、先端後工程の重要性も増しているため追加の決定をした」と述べ、支援の重要性を強調した。

出典：Rapidus株式会社 お知らせ