米Applied Materials（AMAT）社とオランダBE Semiconductor Industries N.V. (Besi)社は2020年10月21日、ダイベースのハイブリッド接合のための世界最初の完全で実証された装置ソリューションの共同開発を行うことを発表した。両社は共同開発プログラムを立ち上げるとともに、次世代チップ-チップ接合技術に注力する共同研究センタ（Hybirid Bonding Center)を設立する。ヘテロ接合のためのハイブリッド・ボンディング技術の実用化に向けて、AMATのエッチング、平坦化、成膜、クリーニングなどの前工程プロセス技術・装置とBESIの高精度なピック&プレースなどの後工程技術・装置の最適な組み合わせに向けて研究開発を行っていく。
共同研究センタは、AMATがシンガポールに設けている先端パッケージング開発センタ（APDC）内に置かれる。クラス10、1万7,300平方フィートのクリーンルームに、WLPの最先端製造設備を導入する。
ハイブリッドボンディングは新しいチップ-チップ間の配線技術で、チップレットとサブシステム基板を直接接続することを可能にするもので、高性能コンピューティング(HPC）、5G、AIといった今後成長するアプリケーション向けに応用が期待されている。