米Lam Research社は2020年9月21日、最先端の3D NAND型フラッシュメモリ、DRAMやロジックLSIの構造として取り入れられる高アスペクト比の段差埋め込み(GapFill）のプロセス・ソリューション「ICEFill technology」と同ソリューションに対応した新しいALD装置「Striker FE」を発表した。
従来のGapFillはCVD、熱処理炉、スピンコートなどを使って行われていたが、これらの技術では、品質、微細化、埋め込み時のボイド抑制といった現在の3D NAND製造での要求にはこたえられなくなっている。StrikerのICEFillテクノロジーでは、同社独自の表面最適化技術とALD技術を組み合わせることで、ALDの特徴である高品質な膜で、ボトムアップによるボイドフリーのGapFillを実現することができる。