米半導体製造装置大手のLam Researchと半導体材料を手掛けるJSR及びその米国子会社のInpriaは9月15日、次世代半導体製造に向けた非独占的なクロスライセンス契約と協業に合意したと発表した。

協業により両社はJSR（Inpria）の持つMOR(Metal Oxide Resist)を含む最先端リソグラフィ材料と、Lam Researchの「Aether」をはじめとするEUVパターニング技術やエッチング、成膜技術などを統合し、先端EUV材料や次世代パターニング材料を共同開発する。また、CVD/ALD向け高純度プリカーサに関しても、JSRの子会社であるヤマナカヒューテックの技術を活かし、探索・プロセス開発を推進するとしている。

Lam Researchのチーフテクノロジー＆サステナビリティ責任者であるVahid Vahedi氏は今回の協業について、「Lam Researchの確立されたALDおよびエッチング技術と、JSRの先進パターニング材料における深い専門知識を豊富に組み合わせることで、半導体技術の複雑化が進む中、イノベーションを加速させることが可能となる」と述べた。

JSRの上席執行役員(電子材料事業、次世代研究担当)である木村徹氏は「JSRとInpriaの材料技術専門知識を、Lam Researchの成膜・エッチング・ドライレジスト技術における強みと組み合わせることで、高NAを含むEUVリソグラフィ向けソリューションの加速を図り、新たなAI時代に向けた業界の効率的なスケールアップを支援する」と期待した。

なお、ImpriaとLam Researchは、米デラウェア州地方裁判所における係争および関連する特許異議申立手続を取り下げることでも合意した。

出典：lam Research Press Release