ジャパンディスプレイ(JDI)は6月5日までに、半導体の先端パッケージング工程において、セラミック基板上に高精細RDL(Re-Distribution Layer)配線を形成する技術を公開した。台湾で先端半導体パッケージングを手掛けるPanelSemi Corporationと共同開発した。2027～28年頃の実用化を目指す。

生成AIや5G、HPCの普及などを背景に、半導体パッケージには高密度・高集積化や低消費電力、寸法安定性などの特性が求められている。これに伴い、従来の有機基板では実現困難だった高精細配線、寸法安定性、熱膨張制御の課題を解決するため、ガラス・セラミックなどを用いた基板のニーズが高まっている。セラミック基板は従来の基板と比べて反りが少なく、熱膨張や放熱性も大幅に軽減される。特に、セラミックの熱膨張係数(CTE)はシリコンに近いため、チップとの熱膨張差が小さく、機械的ストレスを抑制し、信頼性の高いパッケージングが可能となる。また、先端半導体パッケージングの中核技術である配線技術として、配線幅・間隔を数ミクロンレベルまで微細化できるRDLの高精細配線が注目されている。

JDIは同社の持つガラス基板での超高精細加工技術を先端半導体パッケージング分野に活用することで、セラミック基板上における高精細RDL配線の形成に成功。この技術をセラミックコア基板として活用することにより、高密度・高集積・高機能な実装が実現可能だという。

同技術は東京ビックサイトで6月6日まで開催された「国際電子回路産業展」で公開された。

出典：ジャパンディスプレイ　News