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NTT、ポスト5G向けAlN系高周波トランジスタの動作に世界で初めて成功

NTTは2025年12月9日、窒化アルミニウム(AlN)系高周波トランジスタの動作に成功したと発表した。同社によれば、これは世界で初めてだという。ミリ波帯における増幅が可能であり、今後更なる高出力化の開発を進めることで、…