住友ベークライトは5月31日、世界で初めて3DS-TSV（シリコンビア接続3次元積層DRAM）に対応した圧縮成形用封止材顆粒樹脂を開発したと発表した。従来の液状樹脂に代わる封止材として、顧客での生産性向上とパッケージの品質向上が期待できる。

半導体デバイスの小型化が進む中、メモリ半導体の3D積層技術を実現するため、3DS-TSVの採用が進んでいる。TSVはシリコンウエーハ上に穿孔された微細な穴で、複数の層を貫通するが、TSVを用いることで複数の層を積層可能となり、デバイスの集積度が向上する。また、TSVを通じて電力供給が行われるため、電源消費が効率的になり、デバイスの省電力化も可能となる。特に現在はAI半導体に用いられているHBMがTSV を用いて縦に積層する方式を採用している。

チップの積層間の狭いギャップを充填するため、これまでは粘度が低く小粒径のフィラーを配合出来る液状樹脂が採用されていたが、パッケージ反りが大きい傾向や、生産性、コストが高いなど課題が存在していた。

同社が今回開発した圧縮成形用封止樹脂は5㎛カットフィラー顆粒材であり、3DS-TSVの狭部充填が可能なうえ、低弾性レジンを採用してチップコーナーへのストレスを緩和。さらにCTE（熱膨張率）をコントロールすることで反りの低減も実現した。

2024年度中に同製品を用いた3DS-TSVの量産が開始される予定。また、同社は現在、更なる狭Gapに対応した3㎛カット顆粒剤も開発中である。

出典：住友ベークライト　トピックス