台湾のDRAMメーカーであるNanya Technology社は2022年6月23日、新台北市の泰山南林科技園（Nanlin Technology Park）で新しい半導体工場の起工式を行った。

新工場は300mmウエハでDRAMを生産する。2層構造のクリ—ンルームを装備したMain FabのほかR&Dセンタ、水のリサイクルセンタを建設する。また、EUVリソグラフィ向けの専用棟も設ける。フル稼働時の生産能力は月産4万5,000枚。3期に分けて建設を進める。第1期分は2025年に完成予定。
同社では新工場の完成により、生産規模を現状から120％拡大（ビット成長率）、年間700億台湾ドルの売上貢献を計画している。
製造は自社開発した10nmクラスのプロセス（1A、1B、1C、1D）を採用、AIを適用することで生産性の向上を図る。第1世代の1Aプロセスについては2022年中に量産を開始、第2世代の1Bプロセスは同年中に試作開始の予定である。第3世代の1CおよびEUVリソグラフィを使用する第4世代の1Dについては、開発段階である。