国内半導体大手のロームは2022年3月23日、基地局･データセンターをはじめとする産業機器や各種IoT通信機器の電源回路向けに、8Vまでゲート耐圧（ゲート・ソース定格電圧）を高めた150V耐圧GaN HEMT「GNE10xxTBシリーズ（GNE1040TB）」の量産体制を確立したことを発表した。
これまでGaNデバイスは、ゲート耐圧が低く、スイッチング時におけるデバイスの信頼性に課題があった。この課題に対して、新製品は独自の構造によりゲート・ソース定格電圧を一般的な6Vから8Vまで高めることに成功。これによりスイッチング時に6Vを超えるオーバーシュート電圧が発生したとしてもデバイスが劣化しないため、電源回路の設計マージンの向上および高信頼化に貢献する。また、大電流に対応し、放熱性にも優れる汎用性の高いパッケージで製品化しており、実装工程でのハンドリングを容易にすることが可能。
新製品は、2022年3月から量産体制を確立しており、生産拠点は、前工程がローム浜松（浜松市）、後工程がローム本社工場（京都市）となっている。