メモリ大手、米Micron Technologyは2026年3月16日、米カリフォルニア州で開催された米NVIDIAの技術イベント「GTC」において、2026年第1四半期(2025年9月～11月)にAI向け次世代高帯域幅メモリ「HBM4」36GB 12層製品の量産を開始したと発表した。同製品はNVIDIAの最先端AI半導体「Vera Rubin」向けに設計されており、11Gb/s を超えるピン速度を達成し、2.8TB/s を超える帯域幅を実現したという。なお、これは「HBM3E」と比べて帯域幅2.3倍、電力効率20%以上の改善に相当する。HBMに関してはこれまで韓SK hynixが長らく市場を牽引してきたが、HBM市場全体が急拡大する中、シェア拡大を目指す。

また、Micronは「HBM4」48GB 16層製品のサンプル出荷も開始したと明らかにしている。12層製品に比べて容量を33%増やし、新規需要に対応する戦略である。

同社は加えて、データセンター向けLPDDR5Xベース大容量メモリモジュール「SOCAMM2」も量産中であると発表。NVIDIA Vera Rubin NVL72 システムおよび単体の NVIDIA Vera CPU プラットフォーム向けに設計されており、低消費電力 DRAM をデータセンター向けに最適化した初のモジュールで、最大 256GB / CPUあたり 2TB / 帯域 1.2TB/sを実現し、従来のDDR5 RDIMMを置き換えるフォームファクタとなる。さらに、PCIe Gen6のデータセンター向けSSD「Micron 9650」の量産も併せて発表した。

Micron Technology のエグゼクティブ・バイスプレジデント兼最高事業責任者（CBO）である Sumit Sadana 氏は「NVIDIA との緊密な協業により、コンピュートとメモリが初日から共にスケールする設計が可能になる」とし、「HBM4」が「AI のエンジンとして、これまでにない帯域幅・容量・電力効率を提供する」と強調した。また、「業界初の SOCAMM2 と Gen6 SSD がすでに量産段階に入ったことで、Micron のメモリとストレージは次世代 AI の可能性を最大限に引き出す基盤となる」と述べた。

出典：Micron Press Release