シリコンの垂直な深掘りを高速かつ高アスペクト比で実現したドライエッチング技術です。
エッチングにはSF₆、保護膜にはC₄F₈が主に使用され、高い選択比を保持しつつ、高異方性のエッチングを可能にしています。
GNCではボッシュプロセス（SF₆によるSiのエッチングとC₄F₈によるポリマーの膜を側壁と底部に生成を繰り返しながら深くSiを掘っていく）。とノンボッシュプロセス（SF₆とO₂により側壁にSiOFのポリマーを形成して、深堀する。マグネトロンやウエハ冷却することによりエッチング速度を上げている）両方で対応可能です。
対応ウエハサイズ：8インチ～300mm
Hole/L&SパターンなどGNCマスクでの加工も可

加工実績

Φ5um-120um(ボッシュ)

Φ10um-100um(ノンボッシュ)

L&S 200nm/200nm-6um