Intelは、IEEE International Electron Devices Meeting 2022（IEDM2022）において、密度を10倍向上させた3Dパッケージング技術の進歩、2Dトランジスタスケーリング用材料、より高性能なコンピューティングのためのエネルギー効率とメモリのための新しい可能性、量子コンピュータの進歩について発表した。

その中で、ハイブリッドボンディングについては、2021年に発表したテクノロジーに比べて電力やパフォーマンス密度が10倍向上したという。また、ハイブリッドボンディングスケーリングは、3μmのピッチを実現したことによって、モノリシックのSoCと同様の接続密度と帯域幅を実現したとしている。

また、GAA構造においては、わずかに3原子層分の厚みの2Dチャネル材料を使用したGAA積層ナノシート構造を実現し、室温において低リークで理想的なトランジスタスイッチングを実現したという。

また、Intelの研究者は高性能かつスケーラブルなトランジスタチャネルへの道を開く可能性を持つ2D材料への電気的接触トポロジーを初めて包括的に解析したことも明らかにした。

その他、チップ面積をより効果的に用いるために、トランジスタ上に垂直に配置できるメモリの開発や、ポスト5G、低電力消費を見据えて、300mm GaN On Siへの実現可能な道筋を構築した。この分野では、業界標準の GaN の 20 倍の向上を実証し、高性能電力供給の業界記録を打ち立てたとしている。