米IBMと米Lam Researchは2026年3月10日、1nm以下の回路技術の実現に向けて協業することに合意したと発表した。期間は5年間で、新規材料、製造プロセス、High NA EUVリソグラフィプロセスの共同開発を目指す。

両社は10年以上にわたり、ロジック製造技術の進展で協力関係にあり、特に7nmの初期技術開発、EUVリソグラフィ導入に向けたプロセス整備、新しいエッチング、成膜技術の共同研究に焦点を当て、連携してきた。その結果、2010年代後半に7nmロジック半導体の初期世代を実現したほか、IBMは2020年前後に世界初のナノシート(GAA)構造、2021年に世界初の2nmチップを発表するなど、大きな成果を挙げてきた。

今回の協業ではロジックスケーリングをサブ1nmノードへと拡張することを目指す。研究拠点をIBMが参画するNY Creates Albany NanoTech Complexに設置し、Lam Researchのドライ・レジスト装置「Aether」、エッチング装置「Kiyo」と「Ａkara」のほか、原子層成膜（ALD）装置「Striker」、世界初のモリブデン用ALD「ALTUS Halo」、先端パッケージング技術などのエンドツーエンドのプロセスツールとイノベーションを活用し、ナノシートおよびナノスタックなどの次世代トランジスタ構造、裏面電源供給（Backside Power Delivery）技術を含む次世代プロセスの検証に取り組む。これらの技術を確立することで、High-NA EUVで描いたパターンを実デバイス層に転写する際の歩留まりの確保を目指す。

IBM半導体部門GM兼IBMリサーチ・ハイブリッドクラウド担当VPのMukesh Khare氏は「Lam Researchは10年以上にわたりIBMにとって重要なパートナーだ」とし、「さらにHigh-NA EUV露光やサブ1nmの分野でも協業し、新たな挑戦に挑むことになった」と意欲を示した。

Lam Researchの最高技術・サステナビリティ責任者であるVahid Vahedi氏は、「業界が新たな3Dスケーリングの時代に入る中、進歩は材料・プロセス・リソグラフィを一体の高密度システムとして再構築することにかかっている」とし、「High‑NA EUVドライ・レジストおよびプロセスのブレークスルーを推進するため、IBMとの成功した協業をさらに発展させ、AI時代に不可欠となる低消費電力・高性能トランジスタの開発を加速できることを誇りに思う」と述べた。

出典：Lam Research Press Releases