キヤノンは10月13日、半導体デバイスの製造で最も重要な回路パターンの転写を担うナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」の販売を開始したと発表した。同装置は、従来の投影露光装置と異なり、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)技術を活用することで先端半導体の回路形成を可能とした。

従来の投影露光装置は、ウエハ上に塗布されたレジスト（樹脂）に光を照射し回路を焼き付けるのに対し、新製品はウエハ上のレジストに回路パターンを刻み込んだマスク（型）をハンコのように押し付けて回路パターンを形成する。微細で複雑な回路形成が可能になるとともに、マスクはマスターからレプリカを作成することで何度も使うことが可能なため、デバイスコストの低減を図ることもできる。同社のNIL技術では、既存のロジック半導体製造レベルの5nmノードに当たる最小線幅14nmのパターン形成が可能であり、マスクの改良により、現在の先端プロセス 2nmノードに当たる最小線幅10nmレベルの対応も期待されるとしている。

また、同装置では露光の際、波長の長い紫外線を使用するため、従来のEUV露光装置に比べてフットプリントを低減しつつ消費電力の低減も実現し、約10分の1の消費電力でのパターン形成が可能であり、CO₂の低減にも貢献する。

同社のNIL技術の源流は2014年に買収したモレキュラーインプリントが開発していたもので、2017年には開発中の同装置を東芝メモリ(現キオクシア)の四日市工場に試験的に納入していた。同工場における実際のデバイス生産において課題となっていた、ナノインプリント使用時の歩留まりに直結するパーティクルの除去を高精度フィルターやエアカーテンの導入により実現できたことにより、量産開始に踏み切ったとみられる。

なお、ナノインプリント技術はパターン形成技術であるため、半導体デバイス以外にも、数十nmの微細構造であるXR 向けのメタレンズの製造など、幅広い用途に活用できるとしている。