イスラエルの半導体受託生産大手、Tower Semiconductorは11月12日、積層型BSIイメージセンサー向けに開発され、量産実績を持つ300mmウエーハボンディング技術を拡張し、シリコンフォトニクス(SiPho)やSiGe BiCMOSプロセスを組み合わせたヘテロジニアス3D-ICインテグレーションを可能にする新技術を発表した。

SiPho（PIC：フォトニックIC）とSiGe（EIC：エレクトロニックIC）を組み合わせるといった異種類のウエーハを積層し、ウエーハレベルで完全に統合された3D-ICを実現する。これにより、異なるプロセス技術で実装された特定用途向けの機能を単一の高密度チップに集積できるようになる。同技術により、PICとEICを融合するCo-Packaged Optics（CPO：光と電子を同一パッケージに統合する技術）のような次世代の技術が量産可能となる。また、このプロセス技術を補完するため、米Cadenceと連携し、同社の設計ツールによる積層プラットフォーム技術の共同検証も行われる。

新技術により、小型化、高性能化、低消費電力化が同時に実現されるため、AIデータセンターや次世代ネットワーク向けでの活用が期待される。

Tower SemiconductorのDr. Marco Racanelli社長は、「「当社がCIS技術において長年培ってきた大規模なウエーハスタッキングの経験が、3Dインテグレーション技術の次なる進化の基盤となった」とし、「当社の先進的な300mmウエーハボンディングプロセスは、複数のウエーハ技術を単一の3D-IC上で統合することで、CPOに求められる新たなレベルの性能、機能、そして集積度を顧客が実現できるようサポートする」と述べた。

出典：Tower Semiconductor Press Release