Seminar
セミナー
近年、世界的なエネルギー問題、環境規制の強化、そして地政学的な変化が加速する中、各国で脱炭素化や電化・電動化の動きは依然として強い状態です。このような背景において、電力の効率的な変換・制御を担うパワー半導体は、モビリティ、インフラ、再生可能エネルギーといったあらゆる分野でその重要性を増しており、まさに現代社会を支えるキーデバイスとなっています。 しかし同時に、国際情勢の複雑化に伴うサプライチェーンの再編や、技術覇権を巡る動きなどから、パワー半導体市場はかつてないほどの変動期にあるといっても過言ではありません。このような状況下で、技術の動向を正確に把握し、将来を見据えた戦略を立てることは、企業や研究機関にとって喫緊の課題と言えるでしょう。 今回のセミナーでは、パワー半導体の基礎から、注目される技術、パワー半導体の最新動向や世界の半導体市場動向と今後の展望まで、各分野の第一線でご活躍されている講師陣をお招きし、解説をしていただきます。本セミナーを通じて、パワー半導体を取り巻く「今」を理解し、来るべき未来に対応するための知見を深めていただければ幸いです。
パワー半導体(パワーデバイス)とはどのようなもので、その現在の状況と将来トレンドまでを包括的に理解できる事を主眼とし、パワーデバイスに必要とされる機能とそれに対応した基本的動作、歴史的発展の経緯、現在主力のパワーデバイスと次世代として開発が加速されているパワーデバイスについての構造・特性・特徴、これらパワーデバイスが使われている電子機器市場、そしてこの市場の発展に伴って大きく変化しているパワーデバイス業界の状況を順に説明します。
【講師紹介】
1987年大阪大学基礎工学部物性物理工学科卒業。2017年に同大学にて応用物理で博士(工学)を取得。1987年に三菱電機に入社後2012年までパワーMOSFET、高耐圧ICプロセス、BiCMOS&DMOSプロセス、IGBT、パワーDiode開発に従事。 BiCMOS&DMOSプロセスと高耐圧ICではそれぞれ三菱電機としての第一世代の製品化を担当し、高耐圧ICでは現在世界的に広く使われている耐圧保持構造を発案。2013年から2015年まで先端技術総合研究所にてSiCデバイスと次世代パッケージの研究管理業務に携わった後、パワーデバイス製作所にてパワーデバイスと高耐圧ICの技術開発に関する統括業務を担当。2024年から九州大学大学院システム情報科学研究院 教授。 パワーデバイスとICプロセス・デバイス領域で84件の米国特許と61件の日本特許を取得。IEEE-ESD会員、電気学会上級会員。
2000年3月九州大学工学研究科博士後期課程修了(工学博士) 2004年4月産業技術総合研究所に入所 シリコンカーバイドパワーデバイス、特にプレーナーゲートMOSFET、トレンチゲートMOSFET、SBD内蔵MOSFET、スーパージャンクションMOSFETの開発に従事。 2024年4月から先進パワーエレクトロニクス研究センター 副センター長
富士通株式会社電子デバイス部門にて、金属薄膜の化学気相成長技術開発に従事し、ファウンドリ事業の顧客開拓、マーケティングを経てSocionextにてカスタムSoC事業をアメリカでリードした後、中国での事業を統括した。35年以上の半導体企業での経験を活かし、Omdiaでは、パワー半導体、SoC、半導体サプライチェーン、車載半導体、中国半導体市場の調査実績があり地政学リスクを踏まえたサプライチェーン変化などセミナー講師を務める。
◇お申込後、弊社より請求書をお送りいたします。御社の支払いサイクルに沿う形でお支払いをお願い致します。
◇開催7日前以降のキャンセルはお受けいたしかねますのでご了承ください。 (申し込まれた方がご都合の悪い場合は、代理の方がご出席ください)
◇帳票類のダウンロードについて 請求書・領収書・納品書の帳票類は、SEMI-NET EC内マイページの「注文履歴」よりダウンロードいただけます。 「注文履歴」内の「詳細・帳票」ボタンをクリックし、各帳票をダウンロードしてください。
お申し込みはこちら
半導体/MEMS/ディスプレイのWEBEXHIBITION(WEB展示会)による製品・サービスのマッチングサービス SEMI-NET(セミネット)