キオクシアと米・ウエスタンデジタルは2月6日、キオクシアの四日市工場と北上工場での第8世代、第9世代3次元フラッシュメモリの生産に向け、2工場に総額4,500億円の設備投資を行うと発表した。また、この投資計画が経済産業大臣によって「特定半導体生産施設整備等計画」に認定され、最大1500億円の補助金が助成される旨も明らかにした。

両社はパソコンやスマートフォンに搭載されるNAND型フラッシュメモリの開発・製造で提携。NANDは半導体素子を積み重ねることで記憶容量が大きくなり、第8世代では218層、第9世代では300層を超える。先端品はデータの書き込みや読み出しの速度が速く、消費電力が少ないといった点も特徴である。

今回、両社が発表した投資計画では、まず、2工場で第8世代メモリの生産能力を強化し、四日市工場では月6万枚、北上工場では月2万5,000枚を生産する見込みで、2025年9月の初出荷を目指す。その後、第9世代メモリの生産基盤を四日市工場に構築し、2029年までに生産ラインを整備する。両工場での生産能力強化によって、四日市に集中している生産を分散化させることで、災害に強いメモリ生産／供給体制の実現も目指していく。また、両工場を合わせて9,000人程度の雇用も見込んでいる。

両社は元々、四日市工場での第6世代メモリなどの量産を計画しており、これまでの投資額も合計すると、総投資額は7,290億円に上り、経産省の支援は最大で2,430億円となる。

キオクシアの早坂伸夫社長は「最先端フラッシュメモリは、クラウドサービス、5G通信、IoT、AI、自動運転などが広がるデジタル社会の発展において必要不可欠であり、経済安全保障の観点において重要」であるとし、「日本国内における最先端フラッシュメモリの安定的な生産を継続し、国内・地域経済や半導体関連産業の発展に貢献していく」と述べた。

キオクシア株式会社 プレスリリース