大日本印刷(DNP)は12月12日、3nm相当のEUV(極端紫外線)リソグラフィ向けフォトマスク製造プロセスを開発したと発表した。

近年、EUV光源を用いたEUVリソグラフィ技術が確立されたことにより、半導体の回路線幅は微細化が進んでいる。2023年には同技術を用いた3nmロジック半導体が台湾・TSMCと韓国・サムスン電子で量産開始された。また、メモリ半導体においても同技術の採用は進んでいる。

同社は、2016年にフォトマスク専業メーカーとして世界で初めてマルチ電子ビーム描画装置を導入した。この装置は、約26万本の電子ビーム照射が可能であり、複雑なパターン形状でも描画時間を大幅に短縮できる。また、2020年には5nmプロセス相当のEUVリソグラフィ向けフォトマスク製造プロセスを開発しており、今回、更なる微細化ニーズに対応するため、3nmプロセス相当のEUVリソグラフィ向けフォトマスクを開発した。

今回、マルチ電子ビーム描画装置の特性を活かした製造プロセスを改善し、データ補正技術や、EUVリソグラフィ向けフォトマスクの複雑な曲線パターン構造に合わせた加工条件を最適化したことにより、3nmプロセス相当への対応を実現させた。なお、同社は、新たにマルチ電子ビームマスク描画装置を増設し、2024年下期に稼働開始予定であるとしており、EUVリソグラフィ向けフォトマスクなど、先端領域の半導体製造の対応を強化する。

同社は今回開発した3nm相当のEUVリソグラフィ向けフォトマスクを世界中の半導体メーカーのほか、半導体開発コンソーシアム、製造装置メーカー、材料メーカー等へ提供するとともに、EUVリソグラフィの周辺技術開発も支援し、2030年には年間100億円の売上を目指すとしている。なお、現在Rapidusが北海道に建設中の工場では、さらに微細な2nmプロセスのロジック半導体の製造が計画されているが、同社はベルギーに本部を置くimecなどのパートナーとの共同開発を通じ、2nm以降のプロセス開発を進めていくとしている。