Seminar
セミナー
地球環境への負担が増し、気候変動が発生する懸念から、産業界でもより地球環境に配慮した製品を送り出す事が求められている。自動車では、直接温室効果ガスを発生させるガソリンエンジン車から、走行中の温室効果ガス発生がゼロとなるBEV車両が急速に普及している。そして、そのインバータには電力変換効率が高いSiCパワーデバイスが積極的に採用されるようになった。 一方、BEVほど高い電圧を必要としない、サーバーを中心とした産業機器の電源においても、従来のSiデバイスから、よりバンドギャップが高く、中耐圧の制御に優れたGaN半導体が注目されており、近年では大手半導体メーカーも積極的に開発、販売している。 GaNのメリットは、省電力性に優れることや、広帯域であることから、中耐圧領域の電源として用いられたり、高周波増幅器に用いられる。一方でGaN基板は高価格であることを中心に、まだまだ一般的に普及するためには課題もある。今回はパワーデバイス企業、半導体市場、基板、応用デバイスのそれぞれから見たGaNの可能性をセミナーを通じてお伝えしていきます。
1987年大阪大学基礎工学部物性物理工学科卒業。2017年に同大学にて応用物理で工学博士を取得。1987年に三菱電機に入社後2012年までパワーMOSFET、高耐圧ICプロセス、BiCMOS&DMOSプロセス、IGBT、パワーDiode開発に従事。
BiCMOS&DMOSプロセスと高耐圧ICではそれぞれ三菱電機としての第一世代の製品化を担当し、高耐圧ICでは現在世界的に広く使われている耐圧保持構造を発案。2013年から先端総合研究所にてSiCデバイスと次世代パッケージの研究管理業務に携わった後、現所属にてパワーデバイスと高耐圧ICの技術開発に関する統括業務を担当。パワーデバイスとICプロセス領域で84件の米国特許と61件の日本特許を取得。
部署・役職 Omdia テクノロジー部門・プリンシパルコンサルタント
業務経歴(略歴): 富士通電子デバイス部門で新規プロセス開発、東芝とのDRAM共同開発プロジェクト参加、富士通のフアンドリ、ASICのマーケティングと営業をへて富士通電子デバイスASIC事業部長代理からSocionext(富士通とパナソニックの合弁)へ転社後、ハイパフォーマンスカスタムSoC事業部長として北米駐在を1年。その後中国上海公司にてアジアパシフィックの董事長を経験し、帰国してから購買とサプライチェーンを総括し供給問題に対応。2022年4月より現職。
東京都千代田区九段北4-2-25 各路線 市ヶ谷駅より徒歩2分
【オンライン】 Zoomにて配信。 ※オンラインはZOOMでのご参加を推奨しております。
オンライン(Zoom):500名
オンライン:74,800円(税込み)(〜5名まで参加可能)
【講演内容】
◇お申込後、弊社より請求書をお送りいたします。御社の支払いサイクルに沿う形でお支払いをお願い致します。
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