三菱電機は2022年8月30日、パワーデバイス製作所（福岡県福岡市）内に建設していた次世代半導体の開発試作棟の完成を発表した。2022年9月から設備の搬入を始め、2023年に本格稼働させる。投資額は約45億円。地上6階建てで、延べ床面積が1万350m2。敷地内に点在していた研究開発の施設を集約し、同棟では約300人が働く見込み。30日の竣工式で同製作所の岩上徹所長は「集約することで開発の効率化が図れる。新製品の開発を加速させていきたい」と話している。
同社はパワー半導体向けの設備投資を、25年度までの5年間で約1,300億円実施することを公表している。21年11月には広島県福山市で工場（旧シャープ福山工場）を稼働させた。