TSMCは、6月16日に開催されたTSMC テクノロジーシンポジウムにおいて、2025年までの技術ポートフォリオを発表した。2022年には、3nmプロセスであるN3を生産を開始し、その後2年はN3の派生プロセスであるN3E、N3P、N3Xを2025年までに順次生産し、2025年には、FinFETからGAAナノシート構造に移行した2nmプロセスN2の量産に入るとしている。

一方、最先端半導体でTSMCを追う韓国のサムスン電子は、すでにIBMと共同で2nmプロセスでナノシート構造を適用したチップを2021年5月に発表している。また、同社ではすでに3nmプロセスから本格的にGAAナノシート構造を適用しており、追うサムスンと、独走するTSMCの戦略の差が2025年に向けてどのような差を生み出すのかが注目される。

FinFETとGAAの構造の違い。

GAAはゲートを4方向から囲むことで、リーク電流が少なく、ゲート幅が拡大することで、消費電力の低減やトランジスタの駆動効果を高めることが可能となる。