Seminar
セミナー
TSMC、GlobalFoundries、Samsung Electronicsなどが7nmプロセスの量産技術の開発を発表、量産も目前に迫っています。同レベルからはEUVの量産導入がされ、製造プロセスが大きく変わっていくことになります。さらに5nm以降を目指して、ゲート電極材料をはじめとして、新材料、新プロセスの採用も検討されていきます。
本セミナーでは、このように半導体技術の転換期である7nm世代のデバイス技術、プロセス技術の現状と展望について、第1線の研究者、エンジニアを講師にお招きして、最先端の情報を提供いたしますので、奮ってご参加のほど、よろしくお願いいたします。
下記セミナーは、盛況のうちに終了いたしました。 講師の皆様並びにご受講いただいた皆様、誠に有難うございました。
厚く御礼申し上げます。
東京工業大学 工学院 電気電子系 電気電子コース 教授 若林 整氏
<アブストラクト>
1.ロジックLSIチップやSoC/IoTモジュールに使用されるトランジスタ技術 2.FinFETを含む微細デバイスに関するBenchmark 3.7 nmよりも微細な領域での候補技術である積層Nanowire FETなどの動向
IBM Albany Nanotech Dr. Devika Sil氏 (*英語での講義となります)
三重富士通セミコンダクター株式会社 プロセス開発統括部 第二プロセス開発部 担当部長 井谷 直毅氏
1.三重富士通セミコンダクターの紹介と日本のファウンドリビジネスの現状 2.富士通におけるCMPの歴史 3.CMPに求められる技術(アナログ、パワー向け) 3−1.多岐にわたる半導体への対応 3−2.高品質への対応、欠陥の低減、ばらつきの低減 3−3.継続したコストダウン
半導体/MEMS/ディスプレイのWEBEXHIBITION(WEB展示会)による製品・サービスのマッチングサービス SEMI-NET(セミネット)