キヤノンは2026年1月13日、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)技術を応用し、ウエーハを平坦化する「Inkjet-based Adaptive Planarization」(IAP)技術を開発したと発表した。2027年中にも製品化する予定である。

微細化や三次元化の進む先端半導体では、ウエーハ表面の僅かな凹凸がCD誤差やパターンエッジの位置ずれにつながり、歩留まりや生産性に大きく影響する。現在は薄膜を形成し表面をなだらかにするスピンコート技術や、研磨を繰り返すCMP技術が用いられているが、工程の複雑化やコストの増加が課題となっている。

同社はこれまでに、インクジェット方式でレジストを塗布したウエーハに、回路パターンを刻んだマスクをハンコのように押し当てて回路を転写するNIL技術を開発。2023年10月に同技術を用いたリソグラフィ装置「FPA-1200NZ2C」を発売している。同装置は光学系が不要なため、低コスト化、低消費電力化が可能なうえ、微細かつ複雑な回路の描写も1回のインプリントで形成可能である。

今回開発したIAP技術はNIL技術を平坦化用途に応用したもの。具体的には、ウエーハ表面に生じた凹凸の部分に合わせ、インクジェット方式によって平坦化材料を最適に配置し、その上から平坦ガラス板を押し当てる。これにより、凹凸の粗密や回路パターンの違いに左右されることなく、直径300mmのウエーハ全面を一括の押印工程で高精度に平坦化することが可能になるとともに、ウエーハ表面の凹凸を5nm以下に抑えられるという。

同社は2026年2月25日に米カリフォルニア州サンノゼで開催される「SPIE Advanced Lithography and Patterning Conference」にて、同技術と初期段階での実用化結果を発表する予定である。

出典：キヤノン　ニュースリリース