近年では、2nm世代以降の先端ロジック半導体の実現に向けて、プロセス技術や材料開発の高度化が急速に進んでおり、デバイス性能の向上や微細化に対応するために、材料の選定や構造設計が重要な要素となっています。特に、配線材料や絶縁膜、界面制御材料など、各プロセスで使用される材料の役割とその最適化は、今後の技術開発において鍵を握ります。本セミナーでは、半導体プロセスにおける材料の種類と用途をテーマに、先端ロジックデバイスの構造と材料技術の最新動向について、第一線で活躍する専門家がわかりやすく解説します。

プログラム

【講師紹介】

第一部：小椋 厚志 氏（明治大学　理工学部　電子生命学科　教授、再生可能エネルギー研究インステチュート　代表）

1984年早稲田大学院理工学研究科電気工学専攻博士前期課程終了。1991年早稲田大学より工学博士取得。

1984年日本電気（株）に入社、基礎研究所に配属。以来、SOI基板に代表される高機能LSIに用いる最先端基板材料の作製および評価を中心に、半導体ナノテクノロジーに関する研究に従事。1992-1994年AT&Tベル研究所客員研究員。2004年にNECを退職し現職（就任時は助教授）。JEITA（電子情報技術産業協会）シリコン技術委員会SOI 基板関連技術小委員会委員長。SEMI　SOIサブコミッティー　チェア。IEEE International SOI Conference プログラム委員、International Conference on Solid State Devices and Materials、サブコミッティー (Si-on-insulator) チェア、「応用物理」編集委員などを歴任。2002年IEEE International SOI Conference “Best Paper Award”　受賞。2019年から明治大学再生可能エネルギー研究所長（兼務）。

第二部：上野 和良 氏（芝浦工業大学　名誉教授）

1984年に東北大学大学院博士前期を修了、日本電気（株）入社。マイクロエレクトロニクス研究所でGaAs MESFETの高性能化に従事。1990年工学博士（東北大学）。1991年より集積回路の配線技術（Cu配線等）の研究開発に従事。1995年Bell研究所滞在研究員。2006年より芝浦工業大学工学部教授として、グラフェン等の次世代配線技術の研究に従事。2018年imec訪問研究者。2025年芝浦工業大学名誉教授。2011年ADMETA Plus, 2021年IEEE-IITC実行委員長、STRJ（ITRS）ロードマップ委員会委員などを務め、2018年応用物理学会フェロー表彰。応用物理学会、電気化学会、IEEE会員。

第三部：長田 貴弘 氏（物質・材料研究機構 電子・光機能材料研究センター グループリーダー）

2003年大阪府立大学(現：大阪公立大学)大学院工学研究科博士後期課程修了。博士（工学）。物質・材料研究機構(2003年JST-CREST研究員、2004年ポスドク研究員)で窒化物半導体の選択成長と金属界面制御に関する研究に従事。2006年から物質・材料研究機構でコンビナトリアル手法と放射光硬X線光電子分光法(HAXPES)を用いた誘電体薄膜材料と酸化物半導体材料の界面制御に関する研究に従事。またその間に2008年~2009年にカリフォルニア大学サンタバーバラ校において客員研究員として酸化物半導体の表面電子状態の制御の研究に従事した。2018年同機構ナノ電子デバイス材料グループ グループリーダーに就任。同年?明治大学大学院理工学研究科 客員准教授(現在、客員教授)として学術にも参画。専門はワイドバンドギャップ半導体、センサー材料および半導体界面に関する電子機能材料工学である。応用物理学会の多数の国際会議でプログラム委員や実行委員を歴任し、研究者ネットワーク構築にも寄与。材料界面評価・デバイス開発に貢献している。

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