セミナー概要

現在、半導体プロセスは最先端では2018年第4四半期には7nmプロセスによる量産化が開始され、2019年には量産の本格化が始まり、5nm世代も目前となっています。製造技術面ではEUVの量産に導入されるなど、大きな変動局面を迎えています。その動きを正確にとらえるためには、プロセスの基礎をしっかりと理解しておくことが必要となります。
今回のセミナーでは、半導体プロセスの基礎を抑えた上で、5nm以降を見据えた新しいデバイス構造(FinFETからナノワイヤ）、新規材料（ゲート絶縁膜、電極膜、層間絶縁膜など）とプロセスといった半導体プロセスに最近のトピックスをわかりやすく解説していきます。奮って参加のほど、よろしくお願い致します。

下記セミナーは、盛況のうちに終了いたしました。
講師の皆様並びにご受講いただいた皆様、誠に有難うございました。

厚く御礼申し上げます。

開催日時 2019年3月8日（金）13:00-17:00
会場（アクセス） 「連合会館（旧名称：総評会館）」 201会議室
（東京メトロ千代田線 新御茶ノ水駅 B3出口直結）
講師 株式会社ISTL　代表取締役　礒部晶 氏（元日本電気・東京精密・ニッタハース・ディスコ）
定員 50名
受講料 38,000円 （税別）※テキスト、コーヒー代含む

プログラム

時間 セミナー内容（一部変更する場合がございます）
13:00-16:40 （14:50-15:00 コーヒーブレイク）

1．トランジスタの基礎と最新デバイスの話題
（１）電子デバイスとLSIの違いとは？
（２）トランジスタの基礎
（3）トランジスタ構造の進化と今後の技術トレンド
（4）メモリの分類と最新動向

２．半導体デバイスの基本モジュールの構造と製造フロセス
（１）デバイス構造作製の基礎～成膜とパターニング
（２）ＳＴＩ
（３）トランジスタ
（４）配線
（５）３DNAND

３．前工程の個別プロセス詳細
～各工程の原理、要求性能、装置・材料技術、最新の動向等～
（１）酸化
（２）ＣＶＤ
（３）ＰＶＤ
（４）めっき
（５）イオン注入
（６）リソグラフィー
（７）エッチング
（８）ＣＭＰ
（９）洗浄
（１０）検査装置

16:40-17:00 名刺交換会

注意事項

◇お申込後、弊社より請求書をお送りいたします。受講料はセミナー前日までにお支払いください。
（支払サイクル等の関係でご都合が悪い場合はご相談ください）

◇開催７日前以降のキャンセルはお受けいたしかねますのでご了承ください。
（申し込まれた方がご都合の悪い場合は、代理の方がご出席ください）