セミナー概要

SiCはSiの限界を超えるパワーデバイス用材料として期待されており、デバイスとして実用化が進んでいます。さらに普及を進めるためには、性能、信頼性などの性能面の向上に加えて、コスト低減も大きな課題となっています。デバイス技術、プロセス技術、材料技術など、様々な面で開発が進められています。

本セミナーでは、注目を集めSiCのデバイス技術、製造プロセス技術、さらに市場展望まで、ローム、富士電機というSiCデバイスをリードする企業から、現在第1線でご活躍中のエンジニア／マネージャーを講師にお招きして、最先端の情報を提供いたしますので、奮ってご参加のほど、よろしくお願いいたします。

下記セミナーは、盛況のうちに終了いたしました。
講師の皆様並びにご受講いただいた皆様、誠に有難うございました。

厚く御礼申し上げます。

開催日時 2018年11月27日（火）13:00〜17:00
会場（アクセス） 「連合会館（旧名称：総評会館）」 201会議室
（東京メトロ千代田線 新御茶ノ水駅 B3出口直結）
定員 50名
受講料 38,000円 （税別）※テキスト、コーヒー代含む

プログラム

時間 セミナー内容（一部変更する場合がございます）
13:00-14:50

「SiCデバイスの技術／市場動向とロームの事業戦略」

ローム株式会社 パワーデバイス生産本部
統轄部長 伊野和英氏

＜アブストラクト＞

1.SiCデバイスの特徴と種類、応用分野
2.SiCデバイスの課題、今後の展望（技術、コスト面を含む）
3.SiCデバイスの市場動向（予測を含む）
4.ロームの事業戦略

14:50-15:00 コーヒーブレイク
15:00-16:50

「SiC製造プロセスの課題と開発状況」

富士電機株式会社 電子デバイス事業本部 開発統括部

SiC開発部　部長 木村浩氏

＜アブストラクト＞

1.SiCデバイスの製造プロセス、プロセスフロー、について
2.SiCデバイスの現在の製造プロセスの課題（技術面、コスト面など）
3.SiCデバイス製造プロセスの開発、改良状況
4. SiCデバイス製造プロセスの開発目標、ロードマップ

16:50-17:00 名刺交換

注意事項

◇お申込後、弊社より請求書をお送りいたします。受講料はセミナー前日までにお支払いください。
（支払サイクル等の関係でご都合が悪い場合はご相談ください）

◇開催７日前以降のキャンセルはお受けいたしかねますのでご了承ください。
（申し込まれた方がご都合の悪い場合は、代理の方がご出席ください）