セミナー概要

この度、半導体に初めて携わる方向けのセミナー「はじめての半導体講座」を開催することといたしました。半導体の製造プロセスについて、基本的な用語解説を交えながらわかりやすくお伝えするほか、様々な最先端デバイスの種類、動向等について4時間に亘ってお伝えいたします。新入社員の方や部署異動で新たに半導体に携わる方、また改めて基礎的な内容をおさらいしたい方等、幅広い方々に役立つ基礎講座となっております。
7nm以降の最先端LSI製造に使用される多層配線構造では、Cu配線からCoをはじめとする新材料の導入と成膜技術、平坦化技術の変化、微細化に対応するための新しいプロセス技術の導入が図られています。

そこで弊社では、7nm世代以降の最先端多層配線技術に関して、その課題とその開発目標などを明らかにし、将来の配線技術に向けての展望について、超一流の講師に迎えてセミナーを開催することとなりました。関係各位のご参加をお願いします。

下記セミナーは、盛況のうちに終了いたしました。
講師の皆様並びにご受講いただいた皆様、誠に有難うございました。

厚く御礼申し上げます。

開催日時 2018年6月18日（月）13:00〜17:00
会場（アクセス） 「連合会館（旧名称：総評会館）」 201会議室
（東京メトロ千代田線 新御茶ノ水駅 B3出口直結）
定員 50名
受講料 38,000円 （税別）※テキスト、コーヒー代含む

プログラム

時間 セミナー内容（一部変更する場合がございます）
13:00-14:50

「7nm世代の多層配線技術の課題と展望」

IBMリサーチ　プリンシパル・リサーチ・スタッフ・メンバー　野上　毅氏

14:50-15:00 コーヒーブレイク
15:00-16:50

「7nm世代のCMP技術の課題と展望」

日立化成株式会社　機能材料事業部　研磨材料開発部

部長　工学博士　　近藤　誠一氏

＜アブストラクト＞

1. 半導体デバイスの動向
2. CMP導入の背景と必要性
3. 量産工場におけるCMP設備
4. Cu配線の腐食問題とメカニズム
　(1) 化学腐食、 (2) 光腐食、 (3) ガルバニック腐食、
　(4) 静電気による腐食、 (5) 溶存酸素による腐食
5. スクラッチ・欠陥問題
6. 極限微細化とCMPの課題
7. まとめ

16:50-17:00 名刺交換

注意事項

◇お申込後、弊社より請求書をお送りいたします。受講料はセミナー前日までにお支払いください。
（支払サイクル等の関係でご都合が悪い場合はご相談ください）

◇開催７日前以降のキャンセルはお受けいたしかねますのでご了承ください。
（申し込まれた方がご都合の悪い場合は、代理の方がご出席ください）