GAA（Gate-All-Around）は、次世代の半導体トランジスタ技術であり、従来のFinFET構造に比べてより精密な電流制御と低消費電力を実現します。この技術は、5nm以下の微細化において、さらなる性能向上と省エネルギー化を可能にし、次世代デバイスの中核を担うものです。
しかしながらGAA以降の半導体プロセス技術では、ますます精密なアトミックレベルの制御が求められており、課題にも直面しております。
本セミナーでは、半導体製造におけるアトミックレベル技術の最新動向と、業界が直面する課題を探って参ります。

プログラム

時間

セミナー内容（一部変更する場合がございます）

13:05〜14:05

「GAA以降に期待される半導体アトミックレベル技術」（オンライン）

講師：浜口 智志 氏（大阪大学）

１）半導体プロセスの概要
２）プラズマプロセスの基礎
３）プラズマ表面相互作用と表面反応
４）熱プロセスとプラズマプロセス
５) 化学蒸着（CVD)と原子層堆積（ALD）
６）反応性イオンエッチング（RIE)と原子層エッチング（ALE)
７）GAA以降の半導体プロセス技術の挑戦的課題

GAA以降の半導体製造プロセスでは、極めて複雑な三次元構造を持ち、かつ、基本構造が非常に微細なデバイスを大量生産する技術が求められる。二次元チャネルFETのような、ポストシリコンデバイスの出現も時間の問題であり、また、前工程と後工程の差異も小さくなると考えられている。本講義では、半導体製造技術の今後の発展を見据え、現状の半導体プロセスの概要から、特に、プラズマを用いたプロセスの基礎的物理原理およびプラズマ特有の化学反応について、説明する。また、オングストロームノードデバイスの製造に必要不可欠な原子層プロセス（ALD・ALE)の、既存のプロセスとの違いを説明し、今後の半導体製造プロセスの挑戦的課題について議論する。

14:05〜15:30

「先端ロジックデバイスのプラズマエッチング技術」

講師：平林 英史 氏（株式会社日立ハイテク）

15:30〜15:45

休憩

15:45〜16:50

「GAA 以降のアトミックレベルの表面処理技術の現状と課題」

講師：岩畑 翔太 氏（SCREENセミコンダクターソリューションズ）

  1. GAA以降の半導体デバイストレンド
    1.1 スケーリングに伴うトランジスタ構造の変遷
  2. アトミックレベルプロセス技術
    2.1 表面処理技術
    2.1.1 狭所間洗浄
    2.1.2 新材料エッチング
    2.2 倒壊抑制乾燥技術
    2.2.1 In-situ倒壊挙動観察
    2.2.2 MDシミュレーション解析
    2.2.3 次世代乾燥手法
  3. プロセス技術まとめと今後の課題

【講師紹介】

第一部：浜口 智志 氏（大阪大学）

1984年09月 ～ 1988年06月，ニューヨーク大学，大学院芸術科学系研究科，数学専攻
1982年04月 ～ 1987年03月，東京大学，大学院理学系研究科，物理学専攻
1978年04月 ～ 1982年03月，東京大学，理学部，物理学科

第二部：平林 英史 氏（株式会社日立ハイテク）

2022年　株式会社日立ハイテクに入社後、エッチングプロセス開発、マーケティング業務に従事。
株式会社ニコン、LG Japan Lab株式会社を経て現職

第三部：岩畑 翔太 氏（SCREENセミコンダクターソリューションズ）

2014~　　　 (株)SCREENセミコンダクターソリューションズ
2018~2021 　Imec(ベルギーの半導体研究機関) 駐在3年

開催日時

 2024年11月1日（金）13:00〜17:00

開催場所

 【会場】連合会館（新御茶ノ水駅 より徒歩0分）
【オンライン】zoom

定員

 会場 ：30名
オンライン：200名

受講料

 個人参加（会場/オンライン）：30,800円（税込み）
5名までのグループ参加（オンラインのみ）：63,800円（税込み）

◇お申込後、弊社より請求書をお送りいたします。御社の支払いサイクルに沿う形でお支払いをお願い致します。

◇開催７日前以降のキャンセルはお受けいたしかねますのでご了承ください。
（申し込まれた方がご都合の悪い場合は、代理の方がご出席ください）