セミナー概要

3nm世代は、ゲート構造ではそれまでのFinFETからナノワイヤ／ナノシートを利用した3次元積層ゲートオールアラウンド（GAA）構造への移行が進むものと考えられています。使用されるプロセス、材料でも大変革が見込まれています。配線材料ではCu、Wに代わって、7-5nmレベルで動き出したRu、Coへシフトや、Cu,W,Co,Ruなどの混在使用が本格化するものと予想されます。一方、量子コンピュータや新材料／新構造メモリといった新しい構造、アーキテクチャを採用した革新的なデバイスの実用化が見込まれています。

今回のセミナーでは大転換期となるであろう3nm世代について最新技術とデバイスの動向を第1線の技術者、研究者を迎えて、解説していきます。奮って参加のほど、よろしくお願い致します。

下記セミナーは、盛況のうちに終了いたしました。
講師の皆様並びにご受講いただいた皆様、誠に有難うございました。

厚く御礼申し上げます。

開催日時 2019年3月27日（水）13:00〜17:00 (16:50～17:00　 名刺交換)
会場（アクセス） 「連合会館（旧名称：総評会館）」 201会議室
（東京メトロ千代田線 新御茶ノ水駅 B3出口直結）
定員 50名
受講料 38,000円 （税別）※テキスト、コーヒー代含む

プログラム

時間 セミナー内容（一部変更する場合がございます）
13:00−14:30

「最先端デバイスの動向」

東京工業大学　工学院　電気電子系　電気電子コース　教授　若林 整氏

14:30−14:40 コーヒーブレイク
14:40−15:50

「3nm世代の配線技術」

IBMリサーチ　プリンシパル・リサーチ・スタッフ・メンバー 野上 毅氏

15:50−16:50

「CMP技術の基礎と多層配線への応用」

株式会社フジミインコーポレーテッド　CMP事業本部　副本部長 菅井和己氏

16:50−17:00 名刺交換

注意事項

◇お申込後、弊社より請求書をお送りいたします。受講料はセミナー前日までにお支払いください。
（支払サイクル等の関係でご都合が悪い場合はご相談ください）

◇開催７日前以降のキャンセルはお受けいたしかねますのでご了承ください。
（申し込まれた方がご都合の悪い場合は、代理の方がご出席ください）