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2015.10.23 わかりやすい最先端半導体デバイスの入門講座


下記セミナーは、盛況のうちに終了いたしました。

ご講師の皆様並びにご受講いただいた皆様、誠に有難うございました。

厚く御礼申し上げます。


開催日時】 2015年10月23日(金)13:00-17:00

会  場 「連合会館(旧名称:総評会館)」 201会議室

                 東京メトロ千代田線 新御茶ノ水駅 B3出口直結)

【定  員】50名

受  講  料 32,000円 (税別)※テキスト、コーヒー代含む


<<セミナー概要>  
  
半導体デバイスの技術進歩に伴い、FinFETや3D積層といった先端技術が実用化されております。またSTT-MRAMやReRAM、更には2015年7月に米Intel社と米Micron Technology社が発表した"3D XPoint"といった次世代不揮発性メモリの開発も進んできました。
  
そこで本セミナーは、「わかりやすい最先端半導体デバイスの入門講座」と題し、最先端半導体デバイスの動向と構造、課題等について、基礎的な内容からわかりやすく皆様にお伝えいたします。

 

 

 

 

 





【プログラム】


13:00-14:55

「最先端CMOS LSIを理解するための基礎

 サクセスインターナショナル株式会社 兼 厚木エレクトロニクス 加藤 俊夫 氏

(元ソニー長崎工場 代表取締役兼工場長)

<アブストラクト>

①  CMOS LSIの生産に用いられる基本プロセス技術

②  CMOS LSIを生産する作業手順・PN接合などの半導体の基礎理論・CMOS LSIの構造と動作原理

③  現実に生産されているCMOS LSIについての概略の構造とプロセス技術



  14:55-15:05

コーヒーブレイク


15:05-17:00

「最先端デバイスの技術動向

 東京工業大学 大学院 総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻 教授 若林 整 氏

(元NEC・ソニー・MIT客員研究員)

<アブストラクト>

① 先端LSI技術の開発動向

② FinFETデバイス技術の現状と課題

③ メモリデバイスの開発動向



17:30- 別会場にて名刺交換会


 
 ※内容を一部変更する場合がございます。


【注意事項】

◇お申込後、弊社より請求書をお送りいたします。受講料はセミナー前日までにお支払いください。
(支払サイクル等の関係でご都合が悪い場合はご相談ください)

◇受講料の払い戻しは致しません。
(申し込まれた方がご都合の悪い場合は、代理の方がご出席ください)


最終更新 2015年 11月 30日(月曜日) 15:05