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徹底解説!TSVによる3次元実装の最新技術動向

下記セミナーは、盛況のうちに終了いたしました。

ご講師の皆様、受講者の皆様、ご来場頂いた皆様、大変ありがとうございました。

厚く御礼申し上げます。


開催日時】 2012年7月18日(水)13:15-17:00

会  場 「連合会館(旧名称:総評会館)」 502会議室 東京・御茶ノ水

受  講  料 24,500円 (税込、テキストデータ含む、セミナー定員40名)

<<セミナー概要>

近年、半導体デバイスの高密度化、小型化などを狙いとした「三次元実装」の研究開発が本格化している。特にTSV技術は、そのキーテクノロジーとして、その動向が注目されるところとなっている。そこで本セミナーでは、其界のオーソリティである傳田精一氏にご登壇いただき、TSVによる3次元実装技術の現状と今後の動向につき、注目のテーマに沿って実際例を交えながら、徹底的に解説いただきます。 

今後の同技術を展望する上で、格好のセミナーとなっています。    

 

 

 

 

 




【プログラム】


13:15-16:15

徹底解説! TSVによる3次元実装の最新技術動向

 長野実装フォーラム 名誉理事 傳田 精一 氏

 

<アブストラクト>

シリコン貫通電極TSVは長期にわたって開発が続けられたが,昨年から実用化製品が発表され始め,スマートフォンなどの大型需要への期待も大きい。TSVは従来の半導体プロセスと実装プロセスが結合したため,技術的には大きな広がりを持ち,技術的選択肢も多く標準的プロセスはまだ確立してはいないが,方向性はかなりはっきりしてきた。最近の傾向からビア製作ポイント,ビアミドルプロセス,ビアラストプロセス,ビアの膨張,マイクロバンプ,ワイドI/Oへの挑戦, インターチップフイラー,ハイブリッドボンデイング,KOZ, スタッキング,3Dサプライチェーン等についても触れる。



16:15-16:45

「3Dデバイス技術~市場動向とソリューション

 グローバルネット㈱ 代表取締役社長 武野 泰彦 氏

 

<アブストラクト>

3次元実装技術は、スマートフォーン等の電子機器の薄型化、高機能化への要求に対応して開発が進んでいる。そのような3次元実装技術にはシリコンウエハへの貫通孔ドライエッチング、Via側壁の絶縁膜形成、Viaメッキ用バリヤ層、シード層の形成、Via内導体メッキで埋め込み、CMP平坦化、Cuポスト形成、リフロー、ウエハへのサポート基板貼り合わせ、ウエハ薄化、微細バンプ形成が含まれ、それぞれの技術完成度とトータルなソリュージョンが必要です。今回のセミナーでは3次元実装技術の市場展望、製造においての課題、GNCのソリューションを含めて述べる。



16:45-17:00 名刺交換会


 
 ※内容を一部変更する場合がございます。


【注意事項】

◇受講料はセミナー前日までにお支払いください。
(支払サイクル等の関係でご都合が悪い場合はご相談くだされば対応いたします)

◇受講料の払い戻しは致しません。
(申し込まれた方がご都合の悪い場合は、代理の方がご出席ください)


最終更新 2012年 7月 19日(木曜日) 10:03