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ルネサス、フィン構造MONOSフラッシュメモリセルを開発

2016年2月、米Avago Technogies社による米Broadcom社の買収が完了した。買収額は370億USドルで、内170億USドルが現金、残り200億USドル相当分が株式によって支払われた。同買収により、1年半以内に年間7億5,000万USドルのコスト削減が見込めるとしている。年間売上高はおよそ150億USドルとなる見込みで、買収後の社名は「Avago Technologies」を継承せず、「Broadcom」とした。【GNC Letter 222】JR東日本、新型通勤電車にSiC半導体素子を採用
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関係各位 日頃は格別のご高配を賜り、誠に有難うございます。
公益社団法人 化学工学会 エレクトロニクス部会が主催するシンポジウム「微小銅めっきのメカニズムとその応用」
が9月11日(木)12:30~17:40/懇親会 17:50~19:00に蔵前会館 ロイアルブルーホールで開催されます。
参加費等詳細につきましては このメールアドレスは、スパムロボットから保護されています。アドレスを確認するにはJavaScriptを有効にしてください
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●JR東日本は7月2日、SiC半導体素子を搭載した新型通勤電車(E235系)の量産計画を発表した。2015年3月以降に
落成し、走行試験を行い2015年秋頃から山手線で営業運転を開始する。現行の車両ではSi IGBTモジュールを使用
しているが、SiCモジュールを利用することにより車両の消費電力の抑制を図る。
●イスラエルTower Semiconductor社は2014年7月1日、京都・長岡京市にセールス&サポートオフィスを開設する
と発表した。同社は2014年4月にパナソニックとの合弁会社「パナソニック・タワージャズ セミコンダクター」
を設立、パナソニックの旧北陸3工場(魚津・砺波・新井)が移管されている。同合弁会社での生産を中心に、
日本及びアジアの顧客との関係構築や販売戦略の主要拠点として新オフィスを位置付ける。
●リソグラフィ光源メーカーであるギガフォトンは6月30日、現在開発中のEUVスキャナー用レーザー生成プラズマ
(LPP)光源のプロトタイプにおいて、最大出力92 Wを発光効率(CE)4.2%で達成することに成功したと発表した。
今後同社では量産対応EUVスキャナーの実現に向けて、2014年末までに150Wの出力、最終的には250Wを目指し
研究開発を行う。
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【リソグラフィ工程、エッチング工程、薄膜形成工程など半導体製造装置全60品目、マスク/レチクル検査装置、
半導体テスタなど試験/検査装置全26品目の企業シェアを日本、米国、韓国、台湾、欧州などの地域で徹底分析】
★「世界有機EL照明産業年鑑2013」 2013年10月15日発刊 定価 38,000円+税
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●ルネサスエレクトロニクスは12月7日、16/14nm世代以降のフラッシュメモリ内蔵マイコン向けの、フィン構造の立体トランジスタを採用したSG-MONOSフラッシュメモリセルの開発成功を発表した。同社によると、発表時点で世界初の成果だという。
  
●MONOSは、「Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon」の略称で、シリコンの上に酸化膜/窒化膜/酸化膜の3層構造があり、その上に制御ゲート(メタル)が載った、記憶用トランジスタ(メモリセル)の構造を指す。SG-MONOSとは、ゲート電極を二つに分けた「スプリットゲート(SG)」構造のMONOS技術であり、同社では現在同技術を適用した40nm世代マイコンを量産中で、更に28nm世代マイコンを開発している。今回の開発成功により、同社は16/14nm以降の世代までスケーリングが可能な見通しを得たという。
  
●フィン構造を採用したトランジスタでは、ゲートがチャネルを囲む構造となるため、集積度を上げるために平面的な活性領域幅を大幅に縮小した場合でも、大きな駆動電流を確保できる。またゲート制御性の向上による、しきい値電圧ばらつきが改善された。更にフィン構造において、これまで課題であったデバイス特性の劣化や経年劣化の緩和に成功し、書き換え回数はデータ保存用フラッシュメモリで従来通りの25万回を実現した。車載用途で重視されるデータ保持特性は、25万回の書き換え動作後に150℃で10年以上と、従来と同等の信頼性を維持している。
  
●今回の成果により、100MB級のメモリを搭載し、28nm世代比で4倍以上の処理性能を有するマイコンの実現が近付いた。今後同社は大容量フラッシュメモリの動作確認を進め、2023年頃の実用化に向けて開発を進める計画となっている。
   
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最終更新 2016年 12月 12日(月曜日) 10:32