Home GNC Letter(配信ニュース)一覧 中央大、データを自ら判別して読み出しを最適化するフラッシュメモリを開発

中央大、データを自ら判別して読み出しを最適化するフラッシュメモリを開発

2016年2月、米Avago Technogies社による米Broadcom社の買収が完了した。買収額は370億USドルで、内170億USドルが現金、残り200億USドル相当分が株式によって支払われた。同買収により、1年半以内に年間7億5,000万USドルのコスト削減が見込めるとしている。年間売上高はおよそ150億USドルとなる見込みで、買収後の社名は「Avago Technologies」を継承せず、「Broadcom」とした。【GNC Letter 222】JR東日本、新型通勤電車にSiC半導体素子を採用
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関係各位 日頃は格別のご高配を賜り、誠に有難うございます。
公益社団法人 化学工学会 エレクトロニクス部会が主催するシンポジウム「微小銅めっきのメカニズムとその応用」
が9月11日(木)12:30~17:40/懇親会 17:50~19:00に蔵前会館 ロイアルブルーホールで開催されます。
参加費等詳細につきましては このメールアドレスは、スパムロボットから保護されています。アドレスを確認するにはJavaScriptを有効にしてください
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【GNC CMP/実装評価用ウエハ】
★あらゆる300mm評価用ウエハに対応
★CMPダマシンCVD Ru,Coバリヤウエハ
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●JR東日本は7月2日、SiC半導体素子を搭載した新型通勤電車(E235系)の量産計画を発表した。2015年3月以降に
落成し、走行試験を行い2015年秋頃から山手線で営業運転を開始する。現行の車両ではSi IGBTモジュールを使用
しているが、SiCモジュールを利用することにより車両の消費電力の抑制を図る。
●イスラエルTower Semiconductor社は2014年7月1日、京都・長岡京市にセールス&サポートオフィスを開設する
と発表した。同社は2014年4月にパナソニックとの合弁会社「パナソニック・タワージャズ セミコンダクター」
を設立、パナソニックの旧北陸3工場(魚津・砺波・新井)が移管されている。同合弁会社での生産を中心に、
日本及びアジアの顧客との関係構築や販売戦略の主要拠点として新オフィスを位置付ける。
●リソグラフィ光源メーカーであるギガフォトンは6月30日、現在開発中のEUVスキャナー用レーザー生成プラズマ
(LPP)光源のプロトタイプにおいて、最大出力92 Wを発光効率(CE)4.2%で達成することに成功したと発表した。
今後同社では量産対応EUVスキャナーの実現に向けて、2014年末までに150Wの出力、最終的には250Wを目指し
研究開発を行う。
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★「世界半導体製造装置・試験/検査装置市場年鑑2014」 2014年3月31日発刊
書籍版 定価 48,000円+税  CD-ROM版 定価 85,000円+税 セット料金(書籍+CD-ROM)定価99,800円+税
【リソグラフィ工程、エッチング工程、薄膜形成工程など半導体製造装置全60品目、マスク/レチクル検査装置、
半導体テスタなど試験/検査装置全26品目の企業シェアを日本、米国、韓国、台湾、欧州などの地域で徹底分析】
★「世界有機EL照明産業年鑑2013」 2013年10月15日発刊 定価 38,000円+税
★「世界LED照明産業年鑑2013」 定価 38,000円+税
★「CMP基板とその消耗材市場分析レポート 2013」 定価 180,000円+税
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中央大学 理工学部 教授 竹内 健氏のグループは、大容量で低コストなTLC(Triple Level Cell)フラッシュメモリの読み出しに伴うエラーを85%削減し、読み出し可能な回数を6.7倍に増加させることに成功した。データの特徴(アクセス頻度等)をメモリが自動的に判別し、データを特徴別に異なるメモリ領域に格納し、最適な読み出し電圧を印加することで、読み出しに伴うエラーの削減と読み出し可能回数の増加を可能とした。
 
●1つのメモリセルに3ビットを記憶するTLCフラッシュメモリは、2ビット記憶のMLC(Multi Level Cell)フラッシュメモリに比べて大容量・低コストという利点がある反面、メモリセルに蓄えた電子がリークすることで、エラーが発生しやすいという問題があった。そのため、スマートフォンやタブレットに多く使われるTLCフラッシュメモリは、高い信頼性が求められるクラウドデータセンタや企業向けストレージにおいては、限定的な利用に留まっていた。
  
クラウドデータセンタにはアクセスが頻繁に行われるホットデータから、ほとんど読み出しが行われないコールドデータまで、様々なデータが格納されている。同研究グループはまず始めに、ホットデータとコールドデータでしきい値電圧の変化の状態が異なることを明らかにした。コールドデータを保存したTLCフラッシュメモリでは、時間が経過するにつれて、メモリセルのフローティングゲートから電子がリークし、しきい値電圧が低下してエラーに至る。一方、ホットデータを保存した TLC フラッシュメモリでは、リードを頻繁に行うにつれて、しきい値が複雑に増減する。
  
●新技術においては、コールドデータではしきい値電圧の低下に合わせて、読み出し電圧を徐々に下げる。また複雑なしきい値電圧の変動を示すホットデータに対しては、読み出しが行われた回数に応じて、それぞれのしきい値状態に最適な読み出しを印加する。このような補正により、エラー低減と読み出し回数の増加を実現した。
  
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最終更新 2016年 6月 17日(金曜日) 10:46