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従来比で欠陥を95%低減したSiC平坦化技術開発

【GNC Letter 222】JR東日本、新型通勤電車にSiC半導体素子を採用
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関係各位 日頃は格別のご高配を賜り、誠に有難うございます。
公益社団法人 化学工学会 エレクトロニクス部会が主催するシンポジウム「微小銅めっきのメカニズムとその応用」
が9月11日(木)12:30~17:40/懇親会 17:50~19:00に蔵前会館 ロイアルブルーホールで開催されます。
参加費等詳細につきましては このメールアドレスは、スパムロボットから保護されています。アドレスを確認するにはJavaScriptを有効にしてください
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【GNC CMP/実装評価用ウエハ】
★あらゆる300mm評価用ウエハに対応
★CMPダマシンCVD Ru,Coバリヤウエハ
★GNC Bump インターポーザ G-03kitをさらにバージョンアップ
★GNC BUMP G-02 KIT
★GNC TSV評価用ウエハ(200mm・300mm)
★450mm 評価用ウエハ
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●JR東日本は7月2日、SiC半導体素子を搭載した新型通勤電車(E235系)の量産計画を発表した。2015年3月以降に
落成し、走行試験を行い2015年秋頃から山手線で営業運転を開始する。現行の車両ではSi IGBTモジュールを使用
しているが、SiCモジュールを利用することにより車両の消費電力の抑制を図る。
●イスラエルTower Semiconductor社は2014年7月1日、京都・長岡京市にセールス&サポートオフィスを開設する
と発表した。同社は2014年4月にパナソニックとの合弁会社「パナソニック・タワージャズ セミコンダクター」
を設立、パナソニックの旧北陸3工場(魚津・砺波・新井)が移管されている。同合弁会社での生産を中心に、
日本及びアジアの顧客との関係構築や販売戦略の主要拠点として新オフィスを位置付ける。
●リソグラフィ光源メーカーであるギガフォトンは6月30日、現在開発中のEUVスキャナー用レーザー生成プラズマ
(LPP)光源のプロトタイプにおいて、最大出力92 Wを発光効率(CE)4.2%で達成することに成功したと発表した。
今後同社では量産対応EUVスキャナーの実現に向けて、2014年末までに150Wの出力、最終的には250Wを目指し
研究開発を行う。
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★「世界半導体製造装置・試験/検査装置市場年鑑2014」 2014年3月31日発刊
書籍版 定価 48,000円+税  CD-ROM版 定価 85,000円+税 セット料金(書籍+CD-ROM)定価99,800円+税
【リソグラフィ工程、エッチング工程、薄膜形成工程など半導体製造装置全60品目、マスク/レチクル検査装置、
半導体テスタなど試験/検査装置全26品目の企業シェアを日本、米国、韓国、台湾、欧州などの地域で徹底分析】
★「世界有機EL照明産業年鑑2013」 2013年10月15日発刊 定価 38,000円+税
★「世界LED照明産業年鑑2013」 定価 38,000円+税
★「CMP基板とその消耗材市場分析レポート 2013」 定価 180,000円+税
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●東洋炭素と関西学院大学は4月14日、NEDOプロジェクトにおいて、コア技術のSi蒸気圧エッチング技術を用いたSiCウエハの平坦表面処理技術を完成し、従来の処理法に比べて欠陥を1/20に低減したと発表した。さらに、このSi蒸気圧エッチング技術を応用することで、ウエハ薄板化加工も容易となり、高品質薄板化SiCエピウエハの製造が可能となった。東洋炭素では、量産製造装置の導入を行い、特定顧客へ高品質薄板化SiCエピウエハのサンプル供給を開始している。
  
●SiCは研磨が非常に難しく、見かけ上平坦な表面を機械研磨により形成しても表面加工歪層が導入されてしまい、結晶のエピタキシャル成長時に新たな結晶欠陥を導入することがある点が、高品質ウエハを安定供給する上での課題であった。今回開発された平坦表面処理技術を用いることで、従来のCMP処理SiCエピウエハに内在している加工歪/潜傷の除去が可能となった。
  
●同技術は、東洋炭素が製造しているTaC/Taルツボの内壁にSiソースを付与し、そのルツボの中にSiCウエハを配置、高温真空炉にて加熱を行うものである。ルツボ内部では、Si蒸気とSiCウエハ間で熱化学反応が起こり、SiCウエハ表面がエッチングされて平坦化される。同技術で表面処理を行ったSiCエピウエハとCMP処理SiCエピウエハの品質比較を行うため、1900℃の環境で熱処理を行い、加工歪/潜傷の出現実験を行ったところ、同技術で表面処理を行ったSiCエピウエハは、従来品と比較して加工歪/潜傷が内在していないことが確認されたという。
  
  
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最終更新 2016年 4月 18日(月曜日) 10:16