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【GNC Letter 288】産総研、150mm級のSiCライン構築を発表

【GNC Letter 222】JR東日本、新型通勤電車にSiC半導体素子を採用
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●JR東日本は7月2日、SiC半導体素子を搭載した新型通勤電車(E235系)の量産計画を発表した。2015年3月以降に
落成し、走行試験を行い2015年秋頃から山手線で営業運転を開始する。現行の車両ではSi IGBTモジュールを使用
しているが、SiCモジュールを利用することにより車両の消費電力の抑制を図る。
●イスラエルTower Semiconductor社は2014年7月1日、京都・長岡京市にセールス&サポートオフィスを開設する
と発表した。同社は2014年4月にパナソニックとの合弁会社「パナソニック・タワージャズ セミコンダクター」
を設立、パナソニックの旧北陸3工場(魚津・砺波・新井)が移管されている。同合弁会社での生産を中心に、
日本及びアジアの顧客との関係構築や販売戦略の主要拠点として新オフィスを位置付ける。
●リソグラフィ光源メーカーであるギガフォトンは6月30日、現在開発中のEUVスキャナー用レーザー生成プラズマ
(LPP)光源のプロトタイプにおいて、最大出力92 Wを発光効率(CE)4.2%で達成することに成功したと発表した。
今後同社では量産対応EUVスキャナーの実現に向けて、2014年末までに150Wの出力、最終的には250Wを目指し
研究開発を行う。
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【GNC Letter 288】産総研、150mm級のSiCライン構築を発表
  
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関係各位 日頃は格別のご高配を賜り、誠に有難うございます。
産業技術総合研究所が、150mm級のSiCパワー半導体デバイスの量産・研究開発用新ラインを構築すると発表しました。
今回はこのニュースについてお伝えいたします。
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●産業技術研究所は11月10日、つくばイノベーションアリーナ(TIA)パワーエレクトロニクス研究拠点において、150mm
級のSiCパワー半導体デバイスの量産研究開発を目的とした新ラインを構築すると発表した。住友電気工業などの企業と
共同で構築する。同ラインは産総研西事業所7群(スーパークリーンルーム研究棟)に構築され、クリーンルーム面積が
1,500平方メートル、付帯設備等が1,500平方メートルとなる計画である。
  
●産業技術総合研究所は新ラインの目的として、世界最先端・最速の研究開発環境の提供による、150mm級の最先端SiC
ウエハによるパワー半導体量産技術、信頼性評価技術、品質評価技術の開発加速と社会イノベーションの推進を挙げてい
る。常時24時間稼働が可能で、処理能力を従来ラインと比較して10倍以上に増大、リードタイムを1/3以下に短縮させる。
SiC MOSFETのオン抵抗低減に向けた微細化が行われており、プレーナMOSで数ミリΩ平方cm、トレンチMOSで1mΩ平
方cm以下を目指す。
  
●TIAにおいては、第二ラインでも75mm級のSiCパワーデバイスの量産試作技術開発が行われてきた。同ラインは富士電
機、アルバックと整備したものである。今後新ラインが稼働する事により、超オン抵抗デバイスや耐圧10kV超級の超高
耐圧デバイス開発での活用が期待される。更に将来的には、GaNやダイヤモンド等のワイドギャップパワー半導体にも適
用する計画である。
  
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最終更新 2015年 11月 16日(月曜日) 14:23