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【GNC Letter 265】「TECHNO FRONTIER 2015」期待が高まるGaNデバイス

【GNC Letter 222】JR東日本、新型通勤電車にSiC半導体素子を採用
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関係各位 日頃は格別のご高配を賜り、誠に有難うございます。
公益社団法人 化学工学会 エレクトロニクス部会が主催するシンポジウム「微小銅めっきのメカニズムとその応用」
が9月11日(木)12:30~17:40/懇親会 17:50~19:00に蔵前会館 ロイアルブルーホールで開催されます。
参加費等詳細につきましては このメールアドレスは、スパムロボットから保護されています。アドレスを確認するにはJavaScriptを有効にしてください
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●JR東日本は7月2日、SiC半導体素子を搭載した新型通勤電車(E235系)の量産計画を発表した。2015年3月以降に
落成し、走行試験を行い2015年秋頃から山手線で営業運転を開始する。現行の車両ではSi IGBTモジュールを使用
しているが、SiCモジュールを利用することにより車両の消費電力の抑制を図る。
●イスラエルTower Semiconductor社は2014年7月1日、京都・長岡京市にセールス&サポートオフィスを開設する
と発表した。同社は2014年4月にパナソニックとの合弁会社「パナソニック・タワージャズ セミコンダクター」
を設立、パナソニックの旧北陸3工場(魚津・砺波・新井)が移管されている。同合弁会社での生産を中心に、
日本及びアジアの顧客との関係構築や販売戦略の主要拠点として新オフィスを位置付ける。
●リソグラフィ光源メーカーであるギガフォトンは6月30日、現在開発中のEUVスキャナー用レーザー生成プラズマ
(LPP)光源のプロトタイプにおいて、最大出力92 Wを発光効率(CE)4.2%で達成することに成功したと発表した。
今後同社では量産対応EUVスキャナーの実現に向けて、2014年末までに150Wの出力、最終的には250Wを目指し
研究開発を行う。
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【GNC Letter 265】「TECHNO FRONTIER 2015」期待が高まるGaNデバイス
  
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関係各位 日頃は格別のご高配を賜り、誠に有難うございます。
5月20日から22日まで、幕張メッセにて「TECHNO FRONTIER 2015」が開催されました。 
主催者発表によると、出展社数は474社と前年を下回ったものの、来場者は対前年約12%増の延べ32,160名に上りました。
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●5月20日から22日、(一社)日本能率協会の主催で「TECHNO FRONTIER 2015」が開催された。参加した半導体メ
ーカーの中では、昨年同様SiCやGaNデバイス/ソリューションの展示が盛んで、特にGaNが昨年以上に出展されてい
た印象だ。GaNデバイスに関しては、2015年1月に独Infineon Technologies社が米IR社の買収を完了しGaNデバイスの
製造技術を獲得したり、2015年3月にはパナソニックが参入を発表したりと、今年に入ってから何かと動きが多い。
今回のTECHNO FRONTIER 2015においても、GaNデバイスへの期待の大きさが肌で感じられた。
  
・米Texas Instruments社はGaNベースのスイッチング・パワー・トランジスタ「LMG5200」を出展した。同製品は2つ
の80V GaN FETと1つのGaN FETドライバーにより構成される。同製品と評価ボードは既にサンプル提供が行われてい
るが、具体的な量産までのスケジュールはまだ明らかになっていない。
  
・米Transphorm社はGaN HEMTを搭載した、2.4KWのトーテムポール型PFC評価ボードや、同社のGaN HEMTを実際
に採用し商品化された安川電機の太陽電池パワーコンディショナー等を出展した。同社は2015年1月、富士通の会津若
松工場(現:会津富士通セミコンダクターウェハーソリューション)において、GaNパワーデバイスの生産を開始して
いる。
  
・カナダのGaNトランジスタ専業メーカー・GaN Systems社は昨年に引き続き出展を行った。同社は2008年に設立さ
れたファブレスメーカーで、生産は台湾のファンドリーに委託している。耐圧650Vと100VのノーマリーオフGaNパワー
トランジスタを取り扱う。上面冷却と裏面冷却の2種を用意しており、高電流に対応した。
  
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最終更新 2015年 5月 25日(月曜日) 15:18