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【GNC Letter 264】実現が近づく次世代10nmプロセス

【GNC Letter 222】JR東日本、新型通勤電車にSiC半導体素子を採用
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公益社団法人 化学工学会 エレクトロニクス部会が主催するシンポジウム「微小銅めっきのメカニズムとその応用」
が9月11日(木)12:30~17:40/懇親会 17:50~19:00に蔵前会館 ロイアルブルーホールで開催されます。
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●JR東日本は7月2日、SiC半導体素子を搭載した新型通勤電車(E235系)の量産計画を発表した。2015年3月以降に
落成し、走行試験を行い2015年秋頃から山手線で営業運転を開始する。現行の車両ではSi IGBTモジュールを使用
しているが、SiCモジュールを利用することにより車両の消費電力の抑制を図る。
●イスラエルTower Semiconductor社は2014年7月1日、京都・長岡京市にセールス&サポートオフィスを開設する
と発表した。同社は2014年4月にパナソニックとの合弁会社「パナソニック・タワージャズ セミコンダクター」
を設立、パナソニックの旧北陸3工場(魚津・砺波・新井)が移管されている。同合弁会社での生産を中心に、
日本及びアジアの顧客との関係構築や販売戦略の主要拠点として新オフィスを位置付ける。
●リソグラフィ光源メーカーであるギガフォトンは6月30日、現在開発中のEUVスキャナー用レーザー生成プラズマ
(LPP)光源のプロトタイプにおいて、最大出力92 Wを発光効率(CE)4.2%で達成することに成功したと発表した。
今後同社では量産対応EUVスキャナーの実現に向けて、2014年末までに150Wの出力、最終的には250Wを目指し
研究開発を行う。
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【GNC Letter 264】実現が近づく次世代10nmプロセス
  
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関係各位 日頃は格別のご高配を賜り、誠に有難うございます。
半導体プロセスにおいては、現在14/16nmが最小線幅ですが、2016〜2017年にはいよいよ次世代の10nmプロセスが実
現する見込みとなっております。
今回は、10nmへの移行が確実視される半導体大手メーカー3社の動向についてまとめてみました。
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●米Intel社は2017年前半に、10nmプロセスを用いたチップの製造を行う計画を立てている。同社の中東・北アフリカ地
域のゼネラルマネージャー、Taha Khalifa氏が明らかにした。生産はイスラエルのKiryat Gat工場で行われるものとみられ
る。同工場は現在22nmプロセスを採用している。また蘭ASML社が、今後米国の主要顧客1社にEUV露光装置を少なくと
も15台納入すると4月22日に発表しており、納入先を明らかにはしていないが米Intel社とみられる。
  
●韓Samsung Electronics社は5月7日、韓国・平澤市(Pyeongtaek)における半導体新工場建設に着工した。総額で15兆
6,000億ウォン(約142.7億USドル)を投じ、2017年下半期の稼働を計画している。敷地面積は79万㎡。ここで10nmプロ
セスの量産を行うとみられる。
  
●台TSMC社は2016〜2017年に、10nmプロセスを用いたチップの製造を行う計画を立てている。生産は台湾・台中工場
で開始する。同社は10nmプロセスにおいても引き続き液浸リソグラフィーを用いるが、2014年11月に蘭ASML社にEUV
露光装置を2台発注しており、部分的に同装置を用いる可能性もある。
  
●ムーアの法則が世に出て半世紀。ゴードン・ムーア氏本人でさえも、これほど長期間にわたって法則通りに技術が進歩
するとは想定していなかったようだ。微細化競争のプレイヤーは一部の大手半導体メーカーに限られているものの、10nm
プロセスの実現を数年先まで近づけており、次・次世代となる7nmプロセスまで視野に入れている。さらなる技術的難化
や設計コストの上昇、マルチパターニングの使用による露光コストの上昇など障壁は高くなる一方だが、ムーアの法則の
終焉を目の当たりにするのはまだ少し先になりそうだ。
  
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最終更新 2015年 5月 18日(月曜日) 10:47