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【GNC Letter 256】パナソニックと独Infineon社、GaNパワーデバイス共同開発で合意

【GNC Letter 222】JR東日本、新型通勤電車にSiC半導体素子を採用
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関係各位 日頃は格別のご高配を賜り、誠に有難うございます。
公益社団法人 化学工学会 エレクトロニクス部会が主催するシンポジウム「微小銅めっきのメカニズムとその応用」
が9月11日(木)12:30~17:40/懇親会 17:50~19:00に蔵前会館 ロイアルブルーホールで開催されます。
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●JR東日本は7月2日、SiC半導体素子を搭載した新型通勤電車(E235系)の量産計画を発表した。2015年3月以降に
落成し、走行試験を行い2015年秋頃から山手線で営業運転を開始する。現行の車両ではSi IGBTモジュールを使用
しているが、SiCモジュールを利用することにより車両の消費電力の抑制を図る。
●イスラエルTower Semiconductor社は2014年7月1日、京都・長岡京市にセールス&サポートオフィスを開設する
と発表した。同社は2014年4月にパナソニックとの合弁会社「パナソニック・タワージャズ セミコンダクター」
を設立、パナソニックの旧北陸3工場(魚津・砺波・新井)が移管されている。同合弁会社での生産を中心に、
日本及びアジアの顧客との関係構築や販売戦略の主要拠点として新オフィスを位置付ける。
●リソグラフィ光源メーカーであるギガフォトンは6月30日、現在開発中のEUVスキャナー用レーザー生成プラズマ
(LPP)光源のプロトタイプにおいて、最大出力92 Wを発光効率(CE)4.2%で達成することに成功したと発表した。
今後同社では量産対応EUVスキャナーの実現に向けて、2014年末までに150Wの出力、最終的には250Wを目指し
研究開発を行う。
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【GNC Letter 256】パナソニックと独Infineon社、GaNパワーデバイス共同開発で合意
  
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関係各位 日頃は格別のご高配を賜り、誠に有難うございます。
パナソニックと独Infineon社が、GaNパワーデバイスの共同開発で合意したと発表しました。
今回はこの内容を中心にお届けいたします。
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●パナソニックと独Infineon社は3月10日、両社でGaNパワーデバイスを開発することに合意した。シリコン基板上
に実現したパナソニックのノーマリオフ(エンハンスメントモード)GaNパワーデバイス構造を、独Infineon社の表
面実装パッケージに組み込む。またパナソニックは、独Infineon社へノーマリオフGaNトランジスタ構造のライセン
スを提供する。独Infineon社は2015年1月に米International Rectifier社を買収し、GaNパワーデバイスに関する製
造技術を獲得するなど、同分野に積極的に乗り出している。
  
●ロームは3月11日、需要が拡大するダイオードなどディスクリート製品の生産能力強化のため、マレーシアの製造
子会社であるROHM‐WAKO ELECTRONICS(MALAYSIA)SDN.BHD.(以下RWEM)に新棟を建設することを決
定した。新棟は地上3階建てで、延床面積は38,250平方メートル。現在は詳細設計を進めており、2015年7月より
着工し、2016年8月に竣工する予定となっている。新棟建設により、RWEMにおけるダイオードの生産能力は約2倍
となる。
  
●米Spansion社は3月9日、512MBのメモリ容量を持ったFS-SシリアルNORフラッシュメモリファミリを発表した。
動作周波数80MHzのQuad DDRの採用により、動作電圧1.8VのSPIで80MB/sの読み取り性能を実現した。同社は業
界最速としている。また同社は3月12日に米Cypress Semiconductor社との合併を完了しており、現在社名は
「Cypress Semiconductor」となっている。
  
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最終更新 2015年 3月 23日(月曜日) 16:10