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【GNC Letter 251】ソニー、CMOSイメージセンサーの生産能力を約1.3倍に増強

【GNC Letter 222】JR東日本、新型通勤電車にSiC半導体素子を採用
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公益社団法人 化学工学会 エレクトロニクス部会が主催するシンポジウム「微小銅めっきのメカニズムとその応用」
が9月11日(木)12:30~17:40/懇親会 17:50~19:00に蔵前会館 ロイアルブルーホールで開催されます。
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●JR東日本は7月2日、SiC半導体素子を搭載した新型通勤電車(E235系)の量産計画を発表した。2015年3月以降に
落成し、走行試験を行い2015年秋頃から山手線で営業運転を開始する。現行の車両ではSi IGBTモジュールを使用
しているが、SiCモジュールを利用することにより車両の消費電力の抑制を図る。
●イスラエルTower Semiconductor社は2014年7月1日、京都・長岡京市にセールス&サポートオフィスを開設する
と発表した。同社は2014年4月にパナソニックとの合弁会社「パナソニック・タワージャズ セミコンダクター」
を設立、パナソニックの旧北陸3工場(魚津・砺波・新井)が移管されている。同合弁会社での生産を中心に、
日本及びアジアの顧客との関係構築や販売戦略の主要拠点として新オフィスを位置付ける。
●リソグラフィ光源メーカーであるギガフォトンは6月30日、現在開発中のEUVスキャナー用レーザー生成プラズマ
(LPP)光源のプロトタイプにおいて、最大出力92 Wを発光効率(CE)4.2%で達成することに成功したと発表した。
今後同社では量産対応EUVスキャナーの実現に向けて、2014年末までに150Wの出力、最終的には250Wを目指し
研究開発を行う。
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【GNC Letter 251】ソニー、CMOSイメージセンサーの生産能力を約1.3倍に増強
  
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関係各位 日頃は格別のご高配を賜り、誠に有難うございます。
ソニーが積層型CMOSイメージセンサーの生産能力を増強する計画を発表しました。
今回はこの内容を中心にお届けいたします。
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●ソニーは2月2日、積層型CMOSイメージセンサーの生産能力増強を目的とした設備投資を2015年度に実施し、現在の約
60,000枚/月から、2016年6月末時点で約80,000枚/月まで総生産能力を高めることを発表した。今回の設備投資の総は
約1,050億円を見込んでおり、内訳は長崎テックに約780億円と山形テックに約100億円、熊本テックに約170億円となる。
また、LSIを中心とした半導体高密度実装の開発、生産拠点である大分テックでの事業を、2016年3月末で終息させること
を併せて発表した。
  
●東芝は2月5日、次世代半導体露光技術「ナノインプリントリソグラフィ」(以下NIL)の開発加速を目的として、昨年
12月に基本合意した韓SK Hynix社との共同開発について、正式契約の締結を発表した。NILは回路パターンが掘り込まれ
た型をシリコンウエハに直接押し当てて転写するため、より微細な加工の実現が期待されており、メモリの更なる微細化
を進める上で欠かせない次世代半導体露光装置の候補の一つとされている。東芝は韓SK Hynix社に対し、NANDフラッシュ
技術の不正取得・使用に関して民事訴訟を提起していたが、2014年12月に和解し、今後協業関係を築くべく、NILの共
同開発等において基本合意していた。
  
●東京大学物性研究所の徳永将史准教授らの研究グループは、ビスマスフェライトという物質において磁場で制御できる
新たな電気分極成分を発見し、この新しい成分が室温で示す不揮発性メモリー効果を観測した。磁場で電気分極成分を制
御できる性質により、消費電力が少なく、磁石を近づけても情報が消えない磁気メモリー材料といった応用技術の発展に
つながることが期待される。またこの物質で安定ならせん磁気秩序の方向、それに付随した電気分極の方向が3つあり、
0と1の2値メモリーではなく、3値のメモリーになるため、より高密度の情報記録にも応用できる可能性がある。物質自
身がメモリーとしての機能を保有しているため特殊な構造を作る必要がなく、高密度記録に必要な微細化が容易であり、
比較的単純な構造を持ち、かつ使用元素の種類が少ない点も、将来の量産化に向けたメリットとなる。
  
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最終更新 2015年 2月 09日(月曜日) 12:23