Home GNC Letter(配信ニュース)一覧 【GNC Letter 232】東北大学らのグループが3次元GaAs/AlGaAs量子ドットによるLEDの作製に成功

【GNC Letter 232】東北大学らのグループが3次元GaAs/AlGaAs量子ドットによるLEDの作製に成功

【GNC Letter 222】JR東日本、新型通勤電車にSiC半導体素子を採用
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関係各位 日頃は格別のご高配を賜り、誠に有難うございます。
公益社団法人 化学工学会 エレクトロニクス部会が主催するシンポジウム「微小銅めっきのメカニズムとその応用」
が9月11日(木)12:30~17:40/懇親会 17:50~19:00に蔵前会館 ロイアルブルーホールで開催されます。
参加費等詳細につきましては このメールアドレスは、スパムロボットから保護されています。アドレスを確認するにはJavaScriptを有効にしてください
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●JR東日本は7月2日、SiC半導体素子を搭載した新型通勤電車(E235系)の量産計画を発表した。2015年3月以降に
落成し、走行試験を行い2015年秋頃から山手線で営業運転を開始する。現行の車両ではSi IGBTモジュールを使用
しているが、SiCモジュールを利用することにより車両の消費電力の抑制を図る。
●イスラエルTower Semiconductor社は2014年7月1日、京都・長岡京市にセールス&サポートオフィスを開設する
と発表した。同社は2014年4月にパナソニックとの合弁会社「パナソニック・タワージャズ セミコンダクター」
を設立、パナソニックの旧北陸3工場(魚津・砺波・新井)が移管されている。同合弁会社での生産を中心に、
日本及びアジアの顧客との関係構築や販売戦略の主要拠点として新オフィスを位置付ける。
●リソグラフィ光源メーカーであるギガフォトンは6月30日、現在開発中のEUVスキャナー用レーザー生成プラズマ
(LPP)光源のプロトタイプにおいて、最大出力92 Wを発光効率(CE)4.2%で達成することに成功したと発表した。
今後同社では量産対応EUVスキャナーの実現に向けて、2014年末までに150Wの出力、最終的には250Wを目指し
研究開発を行う。
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【GNC Letter 232】東北大学らのグループが3次元GaAs/AlGaAs量子ドットによるLEDの作製に成功
  
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関係各位 日頃は格別のご高配を賜り、誠に有難うございます。
東北大学らのグループが3次元GaAs/AlGaAs量子ドットによるLEDの作製に成功しました。
電力消費削減において有機ELをも上回るといわれる、量子ドットLEDの実現に向けての大きな一歩となります。
今回はこの内容を中心にお伝えします。
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●東北大学らのグループは9月4日、バイオテンプレートと中性粒子ビームエッチングを組み合わせることで、世界で初
めて高均一・高密度・無欠陥の6層積層した3次元GaAs/AlGaAs量子ドットを作製することに成功し、さらにこの量子
ドットを用いてLEDを作製し、電流注入によるLEDからの発光を世界で初めて実現したと発表した。従来比で10倍以上
の発光強度が期待され、究極のグリーンテクノロジーといわれる量子ドットLEDやレーザの実現に向けて大きく前進し
た。また今後は最先端ナノデバイス製造プロセスにおいての実用化を目指し、中性粒子ビームによる加工・表面改質・
材料堆積技術の研究開発を更に進める。既に大手装置メーカーと装置化への検討も進んでいるという。
  
●東レ・ダウコーニングは9月18日、150mmのSiCウエハの発売を発表した。マイクロバンプ密度や貫通らせん転位、
基底面転位などのデバイス性能に影響を与えるキラー欠陥の規格に沿って、3つにグレード分けして販売する。同社は
2014年5月に、同様の3グレードに分けて100mmSiCウエハを発売している。
  
●米Intel社は9月9日、さまざまなワークロードの要件と急速に変化するデータセンターのニーズに応えた次世代プロ
セッサー「Xeon」を発表した。前世代製品と比べて最大3倍の性能向上を実現し、低消費電力で作動する。さらにセキ
ュリティー面でも強化された。同プロセッサーは22nm FinFETプロセスを採用している。
  
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最終更新 2015年 7月 27日(月曜日) 09:56