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【GNC Letter 151】本格的な市場形成はいつ頃?次世代メモリ技術

【GNC Letter 151】本格的な市場形成はいつ頃?次世代メモリ技術の発表相次ぐ
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関係各位 日頃は格別のご高配を賜り、誠に有難うございます。
先日ホノルルで開催されたVLSIシンポジウムではNAND/DRAMの将来技術についてのパネルを始め、次世代
メモリ技術の発表が活発だったようです。
GNC Letter 151は、次世代メモリの開発や事業化動向をお届けします。

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●中央大学理工学部竹内健教授らの研究グループはReRAMとNANDフラッシュを組み合わせ、TSVで積層した
SSDを発表した。ReRAMを、NANDにデータを書き込むためのバッファのような働きをさせることで、NANDのみ
の場合と比較して書き込み性能が11倍、消費電力が93%減、NAND寿命が6.9倍になるという。大容量のNANDに
対し、比較的小さな容量のReRAMを合わせるため、量産する場合にもNANDメーカーはラインの一部をReRAM
用に変更するだけで対応できる可能性がある。

●University College London(UCL)は酸化シリコンをベースにしたReRAMを開発した。ReRAMでは通常金属酸
化物を抵抗変化スイッチングに用いているが、UCLのこのReRAMは酸化シリコンに印加すると一部のシリコンが
フィラメント状に変化して抵抗値が変化する現象を利用している。さらに、このチップは真空プロセスを必要とせず、
製造コストを低減できるという。

●超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)はスピン注入型不揮発性MRAM(STT-MRAM)で10の16乗回の書き
換えが可能であることを実証した。磁気トンネル接合素子(MTJ)を形成する際に、非晶質のCoFeB層の上にCoFe
シード層を挿入することでMgOの結晶性を改善し、それぞれCoFeシード層とMgOをテンプレートにしてCoFeBが結
晶化するためMTJ全体の結晶性が高まり書き込み電流のばらつきを低減できたという。LEAPではSTT-MRAMの
他に、相変化デバイス、原子移動スイッチ、三次元ナノカーボン配線、ナノトランジスタ構造デバイスなどの開発を
行っている。

●バッファローメモリはMRAMをキャッシュとして搭載したSSD製品を開発し、サンプル販売を開始した。DRAMの
代わりにMRAMを使うことで、書き込み途中の電源遮断などによるデータの喪失や故障を回避でき、また、起動時
にNANDからのキャッシュへの書き込みをする必要がないため、起動時間が短くなる。同製品ではアクセスが無い
ときにはキャッシュメモリへの給電を停止するように待っており、このため消費電力も抑制できるとのことだ。

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最終更新 2012年 7月 06日(金曜日) 16:11