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【GNC Letter 92】三次元化の先を争う-半導体技術の動向

【GNC Letter 92】三次元化の先を争う-半導体技術の動向
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関係各位 日頃は格別のご高配を賜り、誠に有難うございます。先月はIntelが22nm3Dトランジスタの採用を発
表し、大変な話題となりました。
GNC Letter 92は、半導体技術の動向をお届けします。

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●半導体産業のトップを走り続けているIntelは、近年TSMCやSamsungのSoCに激しく追撃されている。そんな
中で、同社は今年末頃に製造を開始する22nm世代のIvy Bridgeから3次元構造のTri-Gate Transistorを採用
する。3次元構造のトランジスタについては、いずれ必要になるとの考えで20年ほど前から多くの半導体企業が
開発を手がけてきた。Intelも2002,2006年に既にこうした構造のトランジスタを開発・発表しているが、22nmで初
の量産適用となる。おそらくこれに続くと見られているのが、TSMCだ。TSMCは2010年12月のIEDMで20/22nm
プロセスFin-FET構造のトランジスタを発表しているが、この時点では性能的にプレーナ型トランジスタを超える
ものではなく、2012年を予定する20nm量産適用は想定されていなかった。同社もその次の世代にあたる14nm
からの導入を表明しているが、そうするとまだ数年先となりIntelに大きな差をつけられることになるため、計画を
早める可能性が高いと思われる。

●微細化の限界が目前に迫っているNANDフラッシュでも新規構造の次世代メモリの開発に拍車がかかって
いる。東芝は2009年にいち早く3D構造の「p-BiCS」フラッシュを開発、建設中のFab5での量産も検討すると発
表した。積層した複数の板状ゲート電極と絶縁膜を貫通する柱状の電極からなり、交差する部分がセルを構
成している。一方のSamsungも同時期に似たような構造の「TCAT」を発表しており、その後それを多値化する
技術を開発、また、その次の構造として、チャネルを積層してそこに垂直のゲートを立てる「VG-NAND」と呼ぶ
技術も同じく発表している。両社とも量産の時期ははっきりしていないが、かなり近づいているのは間違いなく、
2012年にも始まるのではないかと予想されている。

●ファンドリ界の大型新人であるGlobalFoundriesは生産能力を急テンポで拡張を進める一方で、技術面でも遅
れを取るまいと技術開発に余念がない。同社は2011年に28nmプロセスの提供を始めるが、2013年には20nmも
量産移行する計画だ。また、旧Chartered SemiconductorであるGlonbalFoundries Singaporeは、シンガポール
や中国の大学等との共同研究で、ポストNAND技術と目されるReRAMの開発を発表している。ReRAMは東芝
等のメモリメーカーはもちろん、大手IDMや米国の新興企業の4DSなど多くの企業が開発にしのぎを削っている。

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最終更新 2011年 6月 23日(木曜日) 11:21