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【GNC Letter 61】実用化が待たれる EUVリソグラフィ開発の進展状況

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関係各位 日頃は格別のご高配を賜り、誠に有難うございます。
経済危機で半導体メーカーが設備投資凍結や生産能力の縮小を実施したことで、需要
の回復ととも
に供給不足が続いています。下半期は徐々に緩和すると思われますが、生産現場はま
だ忙しいよう
で今年の夏休みは短めという方も多いのではないでしょうか?
GNC Letter 61では、EUVリソグラフィ開発の進展状況についてお届けします。
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●ASMLは量産試作EUV露光機「NXE:3100」の出荷を2010年下半期に開始する見込だ。既
に6台の受
注を獲得しており、今後1年間の間に出荷される。光源はCymer、光学系はCarl Zeiss
が担当しており、
NXE:3100の価格は約8,000万US$という。ASMLはまた、22nm世代をターゲットにした初
代量産機「NXE:
3300」を2012年に出荷する計画である。一方、ニコンは量産機の投入を2014〜2015年
頃とし、16〜11
nmプロセス対応を念頭に置いて開発を進めている。

●ArF液浸装置によるダブルパターニングの量産コストが非常に大きいことから、デバ
イスメーカーの
EUVへの期待が高まっている。東芝は2010年4月の「Photomask Japan 2010」でASML
のEUVα機で
形成した14nmのパターンを披露したが、20nm台前半のプロセスからEUVを採用する考え
で、2010年中
に試作ラインを構築する。Global Foundriesも15nmプロセスからEUVを採用すると発表
しており、装置
の整い次第ニューヨークのFab8に導入して2015年頃には15nmの生産に入る。TSMCは2月
に評価のた
めNXE:3100を発注、2012年から量産予定の20nmプロセスにも状況次第では途中から採
用を検討する
という。

●光源開発では、NXE:3100向けのLPP(Laser Produced Plasma)光源を出荷したCymer
が2007年に出
力100Wの達成を発表したが、2010年4月には極端紫外線露光システム技術開発機
構(EUVA)もLPP光
源で100W以上の出力獲得に成功した。EUVAに参加しているギガフォトンはこの成果を
受けて製品化
に着手した。ギガフォトンの親会社の1つであるウシオ電機は、ドイツのR&D子会
社Xtreme Technologies
でDPP(Discharge Produced Plasma)方式の光源開発も行っており、2010年4月
にPhilipsのEUV関連事
業を買収を決めて開発に拍車をかける。

●EUVリソグラフィの最大の課題の1つであるマスク技術の開発の遅れが実用化の足を引っ
張る恐れが
出てきた。そのためSEMATECHではマスク欠陥を検出するツール開発を目的に2010年2月
に新しいコン
ソーシアム「EUVL Mask Infrastructure Partnership」を設立した。マスクメーカー
やデバイスメーカーに
加え地方政府などの参加をよびかけ、まず2011年までに原盤の検査、2013年
にAIMS(Aerial Imaging
Metrology System)、そして2015年までに16nm対応パターン検査ツールの開発を目指す。

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最終更新 2011年 2月 15日(火曜日) 14:42