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【GNC Letter 47】次世代パワーデバイスがいよいよ量産レベルへ!

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関係各位 日頃は格別のご高配を賜り、誠に有難うございます。LEDTV、照明の市場拡大により白色LEDの需要が急増していますが、その材料であるGaNウエーハは
パワーデバイス材料としても注目が高まっています。
「GNC Letter 47」はこうしたGaNパワーデバイスの動向をお届けします。
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●Siパワーデバイスの性能限界が近づき、近年SiCやGaNなどのワイドバンドギャップの化合物半導体の研究開発が加速してきた。2010年にはこうした次世代パワーデバイスの量産が始まり、市場が立ち上がってくると予想される。GaNのパワーデバイスは6~8インチのシリコンを基板にすることで低コスト化の期待が高い。●International Rectifierは2010年2月にGaNパワーチップを使ったマルチチップモジュールをリリースした。最初の製品はサーバなどの低電圧コンバータ用途だが、年末には150V中電圧、2011年には600V高電圧品のサンプル出荷を予定している。早期のラインアップ拡張と生産体制強化でGaNパワーデバイスのリーディングポジションを確立する戦略だ。●2007年に設立された米国のファブレス企業Efficient Power Conversionも2010年にGaNパワートランジスタを商品化した。台湾のファンドリで生産、電子部品のグローバルディストリビュータであるDigi Key社と独占販売契約を締結し、急速な事業拡大を狙っている。●日本でもパナソニックがNEDOの共同研究をもとに2009年にインバータICの開発を発表したり、富士電機と古河電工が共同開発で提携するなどGaNパワーデバイスへの取組みが本格化している。富士通マイクロエレクトロニクスは会津若松工場の半導体ライン再編に合わせて6インチラインにGaN用の装置を追加し、混流でGaNパワーデバイスを生産し、2010年夏までにサンプル出荷を開始する見込だ。>>Global Netはこの他半導体やLEDのマーケット資料・加工ウエーハの提供をしております。http://www.global-net.co.jp/ 

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最終更新 2011年 2月 15日(火曜日) 16:10